Module IGBT Non Infineon, 1200 V 7

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244-5394
Référence fabricant:
FP25R12W2T4BOMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Module IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

175W

Nombre de transistors

7

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.25V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

51mm

Hauteur

12mm

Série

FP25R12W2T4B

Normes/homologations

RoHS

Largeur

42.5 mm

Standard automobile

Non

Le module Infineon IGBT offre un courant de collecteur de Peak nominal répétitif maximum de 50 A et un voltag de saturation de collecteur-émetteur maximum de 2,25 V, la tension de seuil de porte est de 6,4 V.

Courant de coupure collecteur-émetteur de 1 mA

Température dans des conditions de commutation de 150 °C.

Courant de fuite de l'émetteur de grille 400 nA

Capacité de transfert inverse NF

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