IGBT, STGD19N40LZ, , 25 A, 425 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 791-9330
- Référence fabricant:
- STGD19N40LZ
- Marque:
- STMicroelectronics
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Prix pour l'unité (en bande de 5)
2,152 €
HT
2,582 €
TTC
Unité | Prix par unité | Per Tape* |
---|---|---|
5 - 5 | 2,152 € | 10,76 € |
10 - 95 | 1,836 € | 9,18 € |
100 - 495 | 1,43 € | 7,15 € |
500 + | 1,302 € | 6,51 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 791-9330
- Référence fabricant:
- STGD19N40LZ
- Marque:
- STMicroelectronics
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Courant continu de Collecteur maximum | 25 A |
Tension Collecteur Emetteur maximum | 425 V |
Tension Grille Emetteur maximum | ±16V |
Dissipation de puissance maximum | 125 W |
Type de boîtier | DPAK (TO-252) |
Type de montage | CMS |
Type de canal | N |
Nombre de broches | 3 |
Vitesse de découpage | 1MHz |
Configuration du transistor | Simple |
Dimensions | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Température d'utilisation maximum | +175 °C |
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