MOSFET Infineon canal N, PG-HSOF-8 43 A 650 V, 8 broches

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Code commande RS:
284-901
Référence fabricant:
IPT65R060CFD7XTMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

43 A

Tension Drain Source maximum

650 V

Série

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Type de boîtier

PG-HSOF-8

Type de montage

CMS

Nombre de broches

8

Mode de canal

Enrichissement

Matériau du transistor

SiC

Nombre d'éléments par circuit

1

Le MOSFET d'Infineon est un dispositif de puissance très efficace doté d'une technologie de pointe conçue pour les applications exigeantes. La dernière itération du CoolMOS CFD7 650V présente des performances de commutation exceptionnelles associées à un comportement thermique remarquable, ce qui en fait le choix idéal pour les topologies de commutation résonantes telles que le pont complet LLC et le pont complet à déphasage. Succédant au CoolMOS CFD2, il promet une efficacité et une fiabilité supérieures dans des applications industrielles allant des serveurs aux solutions de recharge pour véhicules électriques. Ce dispositif permet aux ingénieurs de repousser les limites de la densité de puissance et de la gestion thermique dans leurs conceptions, en garantissant des performances robustes même dans des conditions de température élevée.

La diode de corps ultra rapide améliore l'efficacité
Optimisé pour une densité de puissance élevée
Le meilleur RDS(on) de sa catégorie minimise les pertes
Des performances constantes quelles que soient les températures
Efficacité exceptionnelle à faible charge
Marges de sécurité accrues pour la haute tension
Entièrement qualifié JEDEC

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