MOSFET Infineon canal N, PG-HSOF-8 23 A 650 V, 8 broches

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Code commande RS:
284-912
Référence fabricant:
IPT65R125CFD7XTMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

23 A

Tension Drain Source maximum

650 V

Type de boîtier

PG-HSOF-8

Série

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Type de montage

CMS

Nombre de broches

8

Mode de canal

Enrichissement

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

SiC

Le MOSFET Infineon est un MOSFET de pointe conçu pour augmenter l'efficacité énergétique dans les applications exigeantes. Ce dispositif présente des performances de commutation de pointe, encapsulées dans le boîtier PG HSOF 8, optimisant la gestion thermique et maximisant la fiabilité opérationnelle. Avec une tension de claquage remarquable de 650 V, il est conçu pour supporter une densité de puissance élevée et constitue un composant essentiel pour les topologies de commutation résonantes, telles que les convertisseurs LLC et les convertisseurs en pont complet à déphasage. Il répond non seulement aux normes rigoureuses en matière d'efficacité et de fiabilité, mais il prend également en charge les conceptions qui nécessitent des marges de puissance accrues et des performances améliorées dans une gamme de températures de fonctionnement.

La diode de corps ultra rapide améliore les performances
Réduit les pertes de commutation pour une meilleure efficacité énergétique
Excellente robustesse pour les applications exigeantes
Prise en charge d'une tension de bus plus élevée pour la sécurité
Efficacité exceptionnelle à faible charge pour une utilisation industrielle

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