MOSFET Infineon canal N, PG-HSOF-8 23 A 650 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 284-910
- Référence fabricant:
- IPT65R125CFD7XTMA1
- Marque:
- Infineon
Indisponible
RS n'aura plus ce produit en stock.
- Code commande RS:
- 284-910
- Référence fabricant:
- IPT65R125CFD7XTMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum | 23 A | |
| Tension Drain Source maximum | 650 V | |
| Série | 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | |
| Type de boîtier | PG-HSOF-8 | |
| Type de montage | CMS | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Matériau du transistor | SiC | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum 23 A | ||
Tension Drain Source maximum 650 V | ||
Série 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | ||
Type de boîtier PG-HSOF-8 | ||
Type de montage CMS | ||
Nombre de broches 8 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Matériau du transistor SiC | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Le MOSFET Infineon est un MOSFET de pointe conçu pour augmenter l'efficacité énergétique dans les applications exigeantes. Ce dispositif présente des performances de commutation de pointe, encapsulées dans le boîtier PG HSOF 8, optimisant la gestion thermique et maximisant la fiabilité opérationnelle. Avec une tension de claquage remarquable de 650 V, il est conçu pour supporter une densité de puissance élevée et constitue un composant essentiel pour les topologies de commutation résonantes, telles que les convertisseurs LLC et les convertisseurs en pont complet à déphasage. Il répond non seulement aux normes rigoureuses en matière d'efficacité et de fiabilité, mais il prend également en charge les conceptions qui nécessitent des marges de puissance accrues et des performances améliorées dans une gamme de températures de fonctionnement.
La diode de corps ultra rapide améliore les performances
Réduit les pertes de commutation pour une meilleure efficacité énergétique
Excellente robustesse pour les applications exigeantes
Prise en charge d'une tension de bus plus élevée pour la sécurité
Efficacité exceptionnelle à faible charge pour une utilisation industrielle
Réduit les pertes de commutation pour une meilleure efficacité énergétique
Excellente robustesse pour les applications exigeantes
Prise en charge d'une tension de bus plus élevée pour la sécurité
Efficacité exceptionnelle à faible charge pour une utilisation industrielle
Nos clients ont également consulté
- MOSFET Infineon canal N 8 broches
- MOSFET Infineon canal N 8 broches
- MOSFET Infineon canal N 8 broches
- MOSFET Infineon canal N 8 broches
- MOSFET Infineon canal N 8 broches
- MOSFET canal N Infineon 50 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
- MOSFET canal N Infineon 44 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
- MOSFET canal N Infineon 61 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1