MOSFET Infineon canal N, PG-HSOF-8 28 A 650 V, 8 broches

Le MOSFET d'Infineon est doté d'un dispositif de puissance CoolMOS CFD7 650V avancé, conçu pour des performances exceptionnelles dans les topologies de commutation résonantes, y compris les applications en pont complet LLC et à déphasage. En mettant l'accent sur l'amélioration de l'efficacité et du comportement thermique, ce produit est une solution idéale pour les applications exigeantes telles que les serveurs, les systèmes de télécommunication et la recharge des véhicules électriques. L'inclusion d'une diode à corps rapide améliore la fiabilité, en particulier dans les scénarios de commutation rapide. En tant qu'évolution de la série CFD2 bien établie, ce MOSFET innovant exploite des caractéristiques de commutation supérieures et offre une robustesse accrue contre les événements de commutation difficiles. Sa conception ne se contente pas de répondre aux normes industrielles en matière d'efficacité et de performances thermiques, mais les dépasse, ce qui en fait un composant inestimable pour les solutions à haute densité de puissance.

Diode de corps ultra rapide pour des performances élevées
Minimise les pertes de commutation pour une utilisation optimale de l'énergie
Une robustesse exceptionnelle pour plus de sécurité
Optimisé pour les applications industrielles SMPS
Entièrement qualifiée par le JEDEC pour les environnements industriels
Prise en charge d'une densité de puissance élevée pour les conceptions compactes
Conçu pour l'intégration d'un pont complet à déphasage