MOSFET de puissance canal N Vishay 375 A 60 V Mode d'amélioration, 8 broches, PowerPAK TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 851-495
- Référence fabricant:
- SIHG033N60SF-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 851-495
- Référence fabricant:
- SIHG033N60SF-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 375A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 101nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 Qualified | |
| Largeur | 5mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Longueur | 6mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 375A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 101nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations AEC-Q101 Qualified | ||
Largeur 5mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Longueur 6mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance Vishay est conçu pour les applications de commutation hautes performances, offrant une efficacité et une fiabilité exceptionnelles. Ce composant est doté de la technologie de diode de corps rapide, ce qui le rend adapté aux conditions de tension et de courant exigeantes.
La technologie de la série SF de dernière génération améliore la longévité des performances
Le faible indice de mérite garantit un fonctionnement efficace
Classé pour l'énergie d'avalanche, garantissant la robustesse dans des conditions extrêmes
La catégorisation des matériaux facilite la conformité dans des applications variées
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