MOSFET canal N Infineon 100 A 30 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS 3
- Code commande RS:
- 133-9901
- Référence fabricant:
- BSC020N03LSGATMA1
- Marque:
- Infineon
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 50 de plus pour économiser 9,60 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
8,89 €
HT
10,67 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 5 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* | Économie |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,778 € | 8,89 € | - |
| 50 - 120 | 1,586 € | 7,93 € | 9,60 € |
| 125 - 245 | 1,49 € | 7,45 € | 36,00 € |
| 250 - 495 | 1,384 € | 6,92 € | 98,50 € |
| 500 + | 1,282 € | 6,41 € | 248,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 133-9901
- Référence fabricant:
- BSC020N03LSGATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | TDSON | |
| Série | OptiMOS 3 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.9mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 96W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 34nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 5.35mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 6.35mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier TDSON | ||
Série OptiMOS 3 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.9mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 96W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 34nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 5.35mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 6.35mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, jusqu'à 40 V
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
MOSFET à commutation rapide pour SMPS
Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.
Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées
Canal N, niveau logique
Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Très faible résistance R DS(on)
Placage compatible sans plomb
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 100 A 30 V Enrichissement TDSON OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 100 A 30 V Enrichissement TDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 100 A 30 V Enrichissement TDSON OptiMOS 5
- MOSFET canal N Infineon 40 A 30 V Enrichissement TDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 57 A 30 V Enrichissement TDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 100 A 25 V Enrichissement TDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 100 A 40 V Enrichissement TDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 100 A 100 V Enrichissement TDSON OptiMOS 3