MOSFET canal N Infineon 100 A 30 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS 5

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Code commande RS:
214-8973
Référence fabricant:
BSC0502NSIATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

OptiMOS 5

Type de Boitier

TDSON

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

2.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

9nC

Dissipation de puissance maximum Pd

43W

Tension directe Vf

650mV

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

5.49mm

Largeur

6.35mm

Hauteur

1.1mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La gamme Infineon de produits OptiMOS est disponible en boîtiers hautes performances pour s'attaquer aux applications les plus difficiles, offrant une flexibilité totale dans les espaces limités. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.

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