Références fabricant

MOSFET canal N Infineon 120 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS 3

Code commande RS:: 145-8902
Référence fabricant:: IPP032N06N3GXKSA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 120 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS 3

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Unité	Prix par unité	le tube*
50 - 50	1,44 €	72,00 €
100 - 200	1,195 €	59,75 €
250 - 450	1,109 €	55,45 €
500 - 950	1,037 €	51,85 €
1000 +	0,965 €	48,25 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 145-8902
Référence fabricant:: IPP032N06N3GXKSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	120A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	TO-220
	Série	OptiMOS 3
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	3.2mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	124nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	188W
	Tension directe Vf	1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	10.36mm
	Hauteur	15.95mm
	Largeur	4.57mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 120A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier TO-220
	Série OptiMOS 3
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 3.2mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 124nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 188W
	Tension directe Vf 1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 10.36mm
	Hauteur 15.95mm
	Largeur 4.57mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

IPB029N06N3 G, IPI032N06N3 G, IPP032N06N3 G, OptiMOS3 Power-Transistor

Pays d'origine :: CN

Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, 60 à 80 V

Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.

MOSFET à commutation rapide pour SMPS

Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.

Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées

Canal N, niveau logique

Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)

Très faible résistance R DS(on)

Placage compatible sans plomb

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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