MOSFET canal N Infineon 64 A 250 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 IPB64N25S3-20 AEC

Code commande RS:: 170-2295
Référence fabricant:: IPB64N25S320ATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 64 A 250 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 IPB64N25S3-20 AEC

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

3 108,00 €

3 730,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 05 février 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
1000 +	3,108 €	3 108,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 170-2295
Référence fabricant:: IPB64N25S320ATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	64A
	Tension Drain Source maximum Vds	250V
	Série	IPB64N25S3-20
	Type de Boitier	TO-263
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	20mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	67nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Tension directe Vf	1V
	Dissipation de puissance maximum Pd	300W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	10.25mm
	Hauteur	4.4mm
	Longueur	10mm
	Standard automobile	AEC

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 64A
	Tension Drain Source maximum Vds 250V
	Série IPB64N25S3-20
	Type de Boitier TO-263
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 20mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 67nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Tension directe Vf 1V
	Dissipation de puissance maximum Pd 300W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations No
	Largeur 10.25mm
	Hauteur 4.4mm
	Longueur 10mm
	Standard automobile AEC

Datasheet

Transistor MOSFET Infineon série IPB64N25S3-20, tension de source de drain maximale de 250 V, courant de drain continu maximal de 64 A - IPB64N25S320ATMA1

Ce MOSFET est un dispositif semi-conducteur à canal N haute tension conçu pour les fonctions de commutation et de conversion de puissance dans les systèmes électroniques exigeants. Il fonctionne sur une très large plage de températures et est conçu pour un déploiement en surface dans un boîtier TO-263, ce qui le rend adapté aux assemblages compacts nécessitant une gestion robuste de la puissance.

Caractéristiques et avantages :

• La valeur nominale de drain de 250 V permet une capacité de commutation haute tension
• Le courant de drain continu de 64 A prend en charge les charges de courant élevées
• Le Rds(on) de 20 mΩ minimise les pertes de conduction pendant le fonctionnement
• La dissipation de puissance de 300 W permet une charge thermique soutenue
• La charge de grille typique de 67 nC garantit un comportement de commutation prévisible
• La tension nominale de grille de 20 V maintient des marges de commande de grille sûres

Applications

• Idéal pour les modules de conversion de puissance automobiles
• Convient aux convertisseurs c.c.-c.c. à courant élevé
• Utilisé avec les étages d'inverseur à entraînement motorisé
• Peut être utilisé pour les alimentations de serveur et de télécommunications
• Convient à l'électronique industrielle à haute température

Quelle plage thermique ce dispositif peut-il tolérer dans les environnements difficiles?

Il fonctionne sur des extrémités ambiantes comprises entre -55 °C et 175 °C, ce qui permet une utilisation dans des applications à températures extrêmes et réduit le besoin d'une protection thermique étendue.

Comment le boîtier influe-t-il sur l'assemblage et le refroidissement des circuits imprimés?

Le facteur de forme à montage en surface TO-263 offre une option de montage bas profil et présente un grand coussin thermique pour le transfert de chaleur vers les dissipateurs thermiques ou les versements de cuivre sur le circuit imprimé.

Quelles sont les considérations relatives à l'entraînement de grille nécessaires pour une commutation fiable?

Une valeur nominale grille-source de 20 V définit l'entraînement de grille maximum admissible

les concepteurs doivent sélectionner les tensions de grille dans cette limite et tenir compte de la charge de grille de 67 nC lors de la dimensionnement des drivers.

Comment le type d'appareil affecte-t-il les choix de topologie de circuit?

En tant que transistor MOSFET à canal N en mode d'amélioration, il nécessite un entraînement de grille positif par rapport à la source pour la conduction, ce qui le rend adapté à la commutation côté bas et aux arrangements de redressement synchrone.