MOSFET canal N Infineon 64 A 250 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 IPB64N25S3-20 AEC
- Code commande RS:
- 171-1959
- Référence fabricant:
- IPB64N25S320ATMA1
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 171-1959
- Référence fabricant:
- IPB64N25S320ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 64A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 250V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | IPB64N25S3-20 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 20mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 67nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.4mm | |
| Longueur | 10mm | |
| Largeur | 10.25mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 64A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 250V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série IPB64N25S3-20 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 20mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 67nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.4mm | ||
Longueur 10mm | ||
Largeur 10.25mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC | ||
Transistor MOSFET Infineon série IPB64N25S3-20, tension de source de drain maximale de 250 V, courant de drain continu maximal de 64 A - IPB64N25S320ATMA1
Ce MOSFET est un dispositif semi-conducteur à canal N haute tension conçu pour les fonctions de commutation et de conversion de puissance dans les systèmes électroniques exigeants. Il fonctionne sur une très large plage de températures et est conçu pour un déploiement en surface dans un boîtier TO-263, ce qui le rend adapté aux assemblages compacts nécessitant une gestion robuste de la puissance.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale de drain de 250 V permet une capacité de commutation haute tension
• Le courant de drain continu de 64 A prend en charge les charges de courant élevées
• Le Rds(on) de 20 mΩ minimise les pertes de conduction pendant le fonctionnement
• La dissipation de puissance de 300 W permet une charge thermique soutenue
• La charge de grille typique de 67 nC garantit un comportement de commutation prévisible
• La tension nominale de grille de 20 V maintient des marges de commande de grille sûres
• Le courant de drain continu de 64 A prend en charge les charges de courant élevées
• Le Rds(on) de 20 mΩ minimise les pertes de conduction pendant le fonctionnement
• La dissipation de puissance de 300 W permet une charge thermique soutenue
• La charge de grille typique de 67 nC garantit un comportement de commutation prévisible
• La tension nominale de grille de 20 V maintient des marges de commande de grille sûres
Applications
• Idéal pour les modules de conversion de puissance automobiles
• Convient aux convertisseurs c.c.-c.c. à courant élevé
• Utilisé avec les étages d'inverseur à entraînement motorisé
• Peut être utilisé pour les alimentations de serveur et de télécommunications
• Convient à l'électronique industrielle à haute température
• Convient aux convertisseurs c.c.-c.c. à courant élevé
• Utilisé avec les étages d'inverseur à entraînement motorisé
• Peut être utilisé pour les alimentations de serveur et de télécommunications
• Convient à l'électronique industrielle à haute température
Quelle plage thermique ce dispositif peut-il tolérer dans les environnements difficiles?
Il fonctionne sur des extrémités ambiantes comprises entre -55 °C et 175 °C, ce qui permet une utilisation dans des applications à températures extrêmes et réduit le besoin d'une protection thermique étendue.
Comment le boîtier influe-t-il sur l'assemblage et le refroidissement des circuits imprimés?
Le facteur de forme à montage en surface TO-263 offre une option de montage bas profil et présente un grand coussin thermique pour le transfert de chaleur vers les dissipateurs thermiques ou les versements de cuivre sur le circuit imprimé.
Quelles sont les considérations relatives à l'entraînement de grille nécessaires pour une commutation fiable?
Une valeur nominale grille-source de 20 V définit l'entraînement de grille maximum admissible
les concepteurs doivent sélectionner les tensions de grille dans cette limite et tenir compte de la charge de grille de 67 nC lors de la dimensionnement des drivers.
Comment le type d'appareil affecte-t-il les choix de topologie de circuit?
En tant que transistor MOSFET à canal N en mode d'amélioration, il nécessite un entraînement de grille positif par rapport à la source pour la conduction, ce qui le rend adapté à la commutation côté bas et aux arrangements de redressement synchrone.
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