MOSFET P Infineon 1.17 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 178-5070
- Référence fabricant:
- BSP315PH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1000 unités, sur une bobine de 1000)*
212,00 €
HT
254,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Plus 9 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 28 septembre 2026
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,212 € | 212,00 € |
| 2000 - 2000 | 0,202 € | 202,00 € |
| 3000 + | 0,189 € | 189,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-5070
- Référence fabricant:
- BSP315PH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.17A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | SIPMOS | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 800mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20, +20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Tension directe Vf | -0.97V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.8W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.5mm | |
| Largeur | 3.5mm | |
| Hauteur | 1.6mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.17A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série SIPMOS | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 800mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20, +20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Tension directe Vf -0.97V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.8W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.5mm | ||
Largeur 3.5mm | ||
Hauteur 1.6mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET Infineon série SIPMOS, tension de source de drain maximale de 60 V, dissipation de puissance maximale de 1,8 W - BSP315PH6327XTSA1
Caractéristiques et avantages :
• Courant de drain continu de 1,17 A pour une alimentation à faible signal
• RDS(on) maximum de 800 mΩ pour des pertes de conduction réduites
• Charge de grille typique de 5,2 nC pour une commande de grille efficace
• Dissipation de puissance de 1,8 W permettant un fonctionnement durable à faible consommation
• Qualification AEC-Q101 pour la tolérance aux contraintes de classe automobile
Applications
• Idéal pour la protection contre l'inversion de polarité dans l'électronique automobile
• Utilisé avec des convertisseurs c.c./c.c. à faible consommation pour la commutation high-side
• Peut être utilisé pour la déconnexion de charge dans les modules télématiques
• Convient aux cartes de commande d'alimentation compactes nécessitant un montage en surface
Dans quelle plage de températures peut-il fonctionner ?
Quel boîtier et quelle méthode de montage utilise-t-il?
Combien de broches sont disponibles pour les connexions de circuit?
Quelle tension de grille maximale doit-il être respectée pendant l'utilisation?
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Infineon 1.17 A 60 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 430 mA 250 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 260 mA 250 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 120 mA 600 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 170 mA 400 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 350 mA 240 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 660 mA 200 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 2.9 A 60 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
