Références fabricant

MOSFET canal N Infineon 300 A 100 V Enrichissement, 8 broches, HSOF OptiMOS 3

Code commande RS:: 178-7450
Référence fabricant:: IPT020N10N3ATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 300 A 100 V Enrichissement, 8 broches, HSOF OptiMOS 3

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

5 040,00 €

6 040,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2000 +	2,52 €	5 040,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 178-7450
Référence fabricant:: IPT020N10N3ATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	300A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Série	OptiMOS 3
	Type de Boitier	HSOF
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	3.7mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	156nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	1V
	Dissipation de puissance maximum Pd	375W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	10.1mm
	Hauteur	2.4mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	10.58mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 300A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Série OptiMOS 3
	Type de Boitier HSOF
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 3.7mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 156nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 1V
	Dissipation de puissance maximum Pd 375W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 10.1mm
	Hauteur 2.4mm
	Normes/homologations No
	Longueur 10.58mm
	Standard automobile Non

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