MOSFET canal N Infineon 275 A 40 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS

Code commande RS:: 214-8969
Référence fabricant:: BSC010N04LSIATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 275 A 40 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

4 565,00 €

5 480,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 15 mars 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
5000 +	0,913 €	4 565,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 214-8969
Référence fabricant:: BSC010N04LSIATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	275A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Série	OptiMOS
	Type de Boitier	TDSON
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	1.05mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	87nC
	Tension directe Vf	700mV
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	139W
	Température d'utilisation maximum	+175°C
	Hauteur	1.2mm
	Largeur	6.1mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	5.35mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 275A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Série OptiMOS
	Type de Boitier TDSON
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 1.05mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 87nC
	Tension directe Vf 700mV
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 139W
	Température d'utilisation maximum +175°C
	Hauteur 1.2mm
	Largeur 6.1mm
	Normes/homologations No
	Longueur 5.35mm
	Standard automobile Non

Datasheet - BSC010N04LSIATMA1

Transistor MOSFET Infineon série OptiMOS, tension de source de drain de 40 V, courant de drain continu de 275 A - BSC010N04LSIATMA1

Ce MOSFET est un composant de commutation à courant élevé conçu pour les applications de puissance exigeantes. Il fonctionne dans une très large plage de températures ambiantes et est destiné aux implémentations de circuits imprimés à montage en surface dans des assemblages compacts. Le dispositif est doté d'un canal N en mode d'enrichissement et prend en charge les tensions de commande de grille appropriées pour un contrôle de commutation robuste.

Caractéristiques et avantages :

• Faible résistance de conduction pour une commutation efficace à courant élevé
• Le courant de drain continu élevé permet un entraînement de charge substantiel
• La valeur nominale de drain‐source de 40 V permet l'utilisation d'un système à moyenne tension
• La dissipation de 139 W permet une gestion de puissance élevée
• La charge de grille typique de 87 nC permet une énergie de commutation prévisible
• La tolérance de la source de la grille de 20 V fournit de l'espace pour l'entraînement de la grille

Applications

• Convient aux entraînements de moteur c.c. à courant élevé
• Utilisé pour la distribution d'énergie dans les systèmes de batterie
• Idéal pour le redressement synchrone dans les convertisseurs
• Peut être utilisé pour les étages d'alimentation des serveurs et des télécommunications
• Utilisé avec des modules inverseurs nécessitant des interrupteurs robustes

Quelles températures extrêmes peut-il supporter en fonctionnement?

Il est conçu pour une utilisation continue de -55 à +175 °C.

Quel type de boîtier et de montage utilise-t-il pour l'assemblage de circuits imprimés?

Il est fourni dans un boîtier TDSON destiné au montage en surface.

Combien de connexions électriques sont disponibles pour la disposition et le routage?

Le dispositif utilise une configuration à 8 broches pour les connexions d'alimentation et de grille.

Quel comportement d'entraînement de grille les concepteurs doivent-ils attendre lors de la commutation?

Les concepteurs doivent prévoir une charge de grille typique de 87 nC lors du calcul des pertes d'entraînement et des temps de commutation.

Quel est l'encombrement physique qui doit être admis lors de la mise en place du composant?

Le boîtier mesure 5,35 mm de long, 6,1 mm de large et 1,2 mm de haut.