MOSFET canal N Infineon 100 A 100 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS AEC-Q101

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Code commande RS:
222-4635
Référence fabricant:
IAUC100N10S5N040ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TDSON

Série

OptiMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

4mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

La conception Infineon de transistors MOSFET, également appelés transistors MOSFET, est l'acronyme de "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.

MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C

Possible pour l'inspection optique automatique (AOI)

Testé à 100 % en avalanche

Qualifié AEC

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