MOSFET canal N Infineon 9 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 CoolMOS

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

85,80 €

HT

102,95 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 450 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le tube*
50 - 501,716 €85,80 €
100 - 2001,544 €77,20 €
250 +1,459 €72,95 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
222-4641
Référence fabricant:
IPA60R180C7XKSA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

9A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

CoolMOS

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

180mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La conception Infineon de Cool MOS TM C7 est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La série C7 Cool MOS de 600 V combine l'expérience du premier fournisseur de MOSFET SJ avec une innovation de haute qualité. Le C7 600 V est la première technologie jamais utilisée avec RDS(on) * A en dessous de 1 ohm * mm2.

Capable de conduction inverse

Faible charge de grille, faible charge de sortie

Robustesse de commutation supérieure

Qualifié pour les applications de qualité standard conformément aux normes JEDEC

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.