MOSFET canal N Infineon 19 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 CoolMOS
- Code commande RS:
- 222-4702
- Référence fabricant:
- IPP60R120C7XKSA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 50 - 98 | 3,755 € | 7,51 € |
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- Code commande RS:
- 222-4702
- Référence fabricant:
- IPP60R120C7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 19A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | CoolMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 120mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 34nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 92W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.36mm | |
| Largeur | 15.95mm | |
| Hauteur | 4.57mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 19A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série CoolMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 120mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 34nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 92W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.36mm | ||
Largeur 15.95mm | ||
Hauteur 4.57mm | ||
Standard automobile Non | ||
Les transistors Infineon MOSFET, également appelés transistors MOSFET, sont l'acronyme de "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.
Placage sans plomb; Conforme à la directive RoHS
Résistance thermique supérieure testée à 100 % en avalanche
Sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-23
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