MOSFET canal N Infineon 16 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 CoolMOS

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Code commande RS:
222-4705
Référence fabricant:
IPP60R145CFD7XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

16A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-220

Série

CoolMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

145mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

31nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

83W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

10.36mm

Hauteur

4.57mm

Largeur

15.95mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Les transistors Infineon MOSFET, également appelés transistors MOSFET, sont l'acronyme de "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.

Placage sans plomb; Conforme à la directive RoHS

Résistance thermique supérieure testée à 100 % en avalanche

Sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-23

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