MOSFET canal N Infineon 31.2 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 CoolMOS AEC-Q101

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Code commande RS:
222-4706
Référence fabricant:
IPP65R110CFDAAKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

31.2A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

CoolMOS

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

110mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

110nC

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Dissipation de puissance maximum Pd

277.8W

Tension directe Vf

900mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

15.95mm

Longueur

10.36mm

Normes/homologations

No

Hauteur

4.57mm

Standard automobile

AEC-Q101

Les transistors Infineon MOSFET, également appelés transistors MOSFET, sont l'acronyme de "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.

Placage sans plomb; Conforme à la directive RoHS

Résistance thermique supérieure testée à 100 % en avalanche

Sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-23

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