MOSFET canal N Infineon 31.2 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 CoolMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 222-4707
- Référence fabricant:
- IPP65R110CFDAAKSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
13,34 €
HT
16,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Expédition à partir du 15 mars 2027
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 6,67 € | 13,34 € |
| 10 - 18 | 6,20 € | 12,40 € |
| 20 - 48 | 6,04 € | 12,08 € |
| 50 - 98 | 5,88 € | 11,76 € |
| 100 + | 5,735 € | 11,47 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4707
- Référence fabricant:
- IPP65R110CFDAAKSA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 31.2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | CoolMOS | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 110mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 110nC | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 277.8W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 15.95mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 4.57mm | |
| Longueur | 10.36mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 31.2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série CoolMOS | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 110mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 110nC | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 277.8W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 15.95mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 4.57mm | ||
Longueur 10.36mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 31.2 A 650 V Enrichissement TO-220 CoolMOS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 31.2 A 650 V Enrichissement TO-263 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 22.4 A 650 V Enrichissement TO-220 CoolMOS CFDA AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 19 A 650 V Enrichissement TO-220 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 22 A 650 V Enrichissement TO-220 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 16 A 650 V Enrichissement TO-220 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 37.9 A 650 V Enrichissement TO-220 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 31 A 650 V Enrichissement TO-220 CoolMOS
