MOSFET canal N Infineon -5.1 A -30 V, 6 broches, PQFN HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9392
- Référence fabricant:
- IRFHS9351TRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 257-9392
- Référence fabricant:
- IRFHS9351TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -5.1A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -30V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 290mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.9nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.4W | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 900μm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 2mm | |
| Longueur | 2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id -5.1A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -30V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 290mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.9nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.4W | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 900μm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 2mm | ||
Longueur 2mm | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRFHS d'Infineon est un mosfet de puissance IRFET robuste à canal P double de -30 V dans un boîtier PQFN 2 x 2. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète couvre une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Boîtier d'alimentation à montage en surface standard
Faible RDS (marche) dans un petit boîtier
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