MOSFET P Infineon 15 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TSDSON SPD15P10P

Voir la catégorie
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

9,18 €

HT

11,01 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard

Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 451,836 €9,18 €
50 - 1201,634 €8,17 €
125 - 2451,544 €7,72 €
250 - 4951,432 €7,16 €
500 +0,734 €3,67 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
258-7787
Référence fabricant:
SPD15P10PGBTMA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

15A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TSDSON

Série

SPD15P10P

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.24Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

37nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.35V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le transistor de puissance SIPMOS d'Infineon appartient à la famille extrêmement innovante OptiMOS de transistors MOSFET de puissance à canal P. Ces produits répondent en permanence aux exigences de qualité et de performance les plus élevées dans les spécifications clés pour la conception de systèmes d'alimentation, telles que la résistance d'état et les caractéristiques de mérite.

Mode d'amélioration

Homologué contre les effets d'avalanche

Placage de câble sans plomb

Conforme à la directive RoHS

Nos clients ont également consulté