MOSFET 1 canal N onsemi 54 A 1200 V Enrichissement, 4 broches, TO-247-4L
- Code commande RS:
- 284-9065
- Référence fabricant:
- NTH4L040N120M3S
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
220,95 €
HT
265,14 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 19 août 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 + | 7,365 € | 220,95 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 284-9065
- Référence fabricant:
- NTH4L040N120M3S
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 54A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | TO-247-4L | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 54A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier TO-247-4L | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Le MOSFET en carbure de silicium d'ON Semiconductor est utilisé dans les onduleurs, les convertisseurs de courant continu à courant continu et les onduleurs de suralimentation.
Faible capacité de sortie effective
Testé à 100 % par UIL
Ce dispositif est exempt d'halogénures et conforme à la directive RoHS (exemption 7a) et exempt de Pb
Nos clients ont également consulté
- MOSFET 1 canal N onsemi 54 A 1200 V Enrichissement TO-247-4L
- MOSFET canal N onsemi 151 A 1200 V Enrichissement TO-247-4L NTH
- MOSFET 1 canal N onsemi 89 A 1200 V Enrichissement TO-247-4L
- MOSFET canal N onsemi 67 A 650 V Enrichissement TO-247-4L NTH
- MOSFET canal N onsemi 140 A 750 V Enrichissement TO-247-4L NTH
- MOSFET canal N onsemi 45 A 1700 V Enrichissement TO-247-4L EliteSiC
- MOSFET 1 canal N onsemi 116 A 900 V Enrichissement TO-247-4L
- MOSFET canal N onsemi 17.3 A 1200 V Enrichissement TO-247 NTH