Transistors MOSFET

Les MOSFET ((Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor), également appelés transistor MOSFET, sont des transistors semiconducteurs en métal-oxyde à effet de champ. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain. Il fonctionne de manière très semblable à un commutateur et est utilisé pour la commutation ou l'amplification de signaux électroniques.

Ces dispositifs à semiconducteurs sont des circuits intégrés (CI) qui sont montés sur des circuits imprimés. Les transistors MOSFET sont fournis dans une large gamme de types de boîtier standard tels que : DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 et TO-220.

Que sont les modes dappauvrissement et denrichissement ?

Les transistors MOSFET offrent deux modes: appauvrissement et enrichissement.Les transistors MOSFET à appauvrissement fonctionnent comme un interrupteur fermé. Le courant passe lorsqu'aucun courant n'est appliqué. Le flux de courant s'arrête si une tension négative est appliquée.Les transistors MOSFET à enrichissement sont similaires à une résistance variable et sont généralement plus populaire que les transistors MOSFET à appauvrissement. Ils sont fournis en variantes à canal N ou canal P.

Comment fonctionnent les MOSFET ?

Les électrodes sur un boîtier MOSFET sont la source, la grille et le drain. Lorsqu'une tension est appliquée entre les électrodes de grille et de source, le courant peut passer par l'électrode de drain vers l'électrode de source. Lorsque la tension appliquée à la grille change, la résistance entre le drain et la source change également. Plus la tension appliquée est faible, plus la résistance est élevée. A mesure que la tension augmente, la résistance entre le drain et la source diminue.Les transistors MOSFET de puissance sont similaires aux transistors MOSFET standard, mais sont conçus pour gérer un niveau de puissance plus élevé.

Transistors MOSFET à canal N par rapport à canal P

Les transistors MOFET sont fabriqués en silicium dopé de type P ou N.

  • Les transistors MOSFET à canal N contiennent des électrons supplémentaires qui sont libres de se déplacer. C'est le type de canal le plus populaire. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée à l'électrode de grille.
  • Le substrat des transistors MOSFET à canal P contient des électrons et des trous délectron. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'activent lorsque la tension fournie à l'électrode de grille est inférieure à celle de la tension source.

Où sont utilisés les transistors MOSFET ?

Les transistors MOSFET sont présents dans de nombreuses applications, telles que les microprocesseurs et d'autres composants de mémoire. Les transistors MOSFET sont le plus couramment utilisés dans les circuits comme commutateurs commandés par la tension.


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Description Prix Type de canal Courant continu de Drain maximum Tension Drain Source maximum Type de boîtier Type de montage Nombre de broche Nombre de broches Résistance Drain Source maximum Mode de canal Tension de seuil maximale de la grille Tension de seuil minimale de la grille Dissipation de puissance maximum Configuration du transistor Tension Grille Source maximum
Code commande RS 813-0714
Référence fabricantIRLL110TRPBF
MarqueVishay
0,561 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 1,5 A 100 V SOT-223 CMS - 3 + Tab 760 mΩ Enrichissement - 1V 3,1 W Simple -10 V, +10 V
Code commande RS 913-3847
Référence fabricantIRFR6215PBF
MarqueInfineon
1,002 €
l'unité (en tube de 75)
Unité
P 13 A 150 V DPAK (TO-252) CMS 3 - 295 mΩ Enrichissement 4V 2V 110 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 301-316
Référence fabricantIRLML6401TRPBF
MarqueInfineon
0,376 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
P 4,3 A 12 V Micro CMS 3 - 50 mΩ Enrichissement 0.95V 0.4V 1,3 W Simple -8 V, +8 V
Code commande RS 145-2031
Référence fabricantSIHG20N50C-E3
MarqueVishay
1,952 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 20 A 500 V TO-247AC Traversant - 3 270 mΩ Enrichissement - 3V 250 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 178-1525
Référence fabricantIRF7404PBF
MarqueInfineon
0,884 €
l'unité (en tube de 95)
Unité
- - - - - - - - - - - - - -
Code commande RS 543-2092
Référence fabricantIRF7424PBF
MarqueInfineon
1,216 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
P 11 A 30 V SOIC CMS 8 - 14 mΩ Enrichissement 2.5V 1V 2,5 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 146-1963
Référence fabricantFDP2572
1,358 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 4 A 150 V TO-220AB Traversant 3 - 54 mΩ Enrichissement - 2V 135 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 178-0852
Référence fabricantIRF9510PBF
MarqueVishay
0,625 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
- - - - - - - - - - - - - -
Code commande RS 655-571
Référence fabricantZVP3306A
MarqueDiodesZetex
0,674 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
P 160 mA 60 V E ligne Traversant 3 - 14 Ω Enrichissement 3.5V - 625 mW Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 671-5301
Référence fabricantFQPF7N65C
1,41 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 7 A 650 V TO-220F Traversant 3 - 1,4 Ω Enrichissement - 2V 52 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 541-1247
Référence fabricantIRLZ34NPBF
MarqueInfineon
1,03 €
la pièce
Unité
N 30 A 55 V TO-220AB Traversant 3 - 35 mΩ Enrichissement 2V 1V 68 W Simple -16 V, +16 V
Code commande RS 787-9052
Référence fabricantSI4925DDY-T1-GE3
MarqueVishay
0,81 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
P 8 A 30 V SOIC CMS - 8 41 mΩ Enrichissement - 1V 5 W Isolé -20 V, +20 V
Code commande RS 163-1140
Référence fabricantNTS4001NT1G
0,05 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 270 mA 30 V SOT-323 (SC-70) CMS 3 - 2 Ω Enrichissement 1.5V - 330 mW Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 168-6102
Référence fabricantSTP30NF10
1,143 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 35 A 100 V A-220 Traversant - 3 45 mΩ Enrichissement 4V 2V 115 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 541-1253
Référence fabricantIRFP054NPBF
MarqueInfineon
1,93 €
la pièce
Unité
N 81 A 55 V TO-247AC Traversant 3 - 12 mΩ Enrichissement 4V 2V 170 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 168-7933
Référence fabricantIRF7389TRPBF
MarqueInfineon
0,323 €
l'unité (en bobine de 4000)
Unité
N, P 5,3 A, 7,3 A 30 V SOIC CMS - 8 46 mΩ, 98 mΩ Enrichissement 1V 1V 2,5 W Isolé -20 V, +20 V
Code commande RS 178-0805
Référence fabricantSIHG73N60E-GE3
MarqueVishay
9,368 €
l'unité (en tube de 25)
Unité
N 73 A 600 V TO-247AC Traversant 3 - 39 mΩ Enrichissement - 2V 520 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 919-4823
Référence fabricantIRFR120NPBF
MarqueInfineon
0,706 €
l'unité (en tube de 75)
Unité
N 9,4 A 100 V DPAK (TO-252) CMS 3 - 210 mΩ Enrichissement 4V 2V 48 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 748-1888
Référence fabricantAUIRFZ44NS
MarqueInfineon
2,18 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 49 A 55 V D2PAK (TO-263) CMS 3 - 17,5 mΩ Enrichissement 4V 2V 94 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 165-6823
Référence fabricantBSS308PEH6327XTSA1
MarqueInfineon
0,097 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 1,6 A 30 V SOT-23 CMS 3 - 130 mΩ Enrichissement 1V 2V 500 mW Simple -20 V, +20 V