MOSFET 2 canal Type P Isolé Infineon 2 A 30 V Enrichissement, 6 broches, TSOP OptiMOS P AEC-Q101
- Code commande RS:
- 165-5552
- Référence fabricant:
- BSL308PEH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
564,00 €
HT
678,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,188 € | 564,00 € |
| 6000 + | 0,179 € | 537,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-5552
- Référence fabricant:
- BSL308PEH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | TSOP | |
| Série | OptiMOS P | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 130mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | -5nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Tension directe Vf | -0.8V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Largeur | 1.6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier TSOP | ||
Série OptiMOS P | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 130mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs -5nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Tension directe Vf -0.8V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 2.9mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Largeur 1.6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET OptiMOS série P d'Infineon, tension de source de drain de 30 V, courant de drain continu maximum de 2 A - BSL308PEH6327XTSA1
Caractéristiques et avantages :
• Conçu pour une tension de drain-source de 30 V permettant l'utilisation d'un système de 30 V
• La capacité de courant de drain continu de 2 A prend en charge les charges modérées
• Charge de grille typique de -5 nC à Vgs pour une réponse de commutation plus rapide
• La dissipation de puissance de 500 mW permet une gestion thermique fiable
• Qualifié selon la norme AEC-Q101 pour les performances de contrainte automobile
Applications
• Idéal pour la commutation de charge dans les systèmes de gestion de batterie
• Utilisé avec les convertisseurs c.c.-c.c. nécessitant des dispositifs à canal P
• Peut être utilisé pour les circuits de protection de polarité à double canal
• Convient aux tableaux de distribution d'alimentation compacts à montage en surface
Quelles sont les limites de tension de grille à respecter pour un fonctionnement sûr?
Combien de transistors sont contenus sur la puce et qu'est-ce qui permet?
Quelle plage de température ambiante le dispositif peut-il supporter pendant le fonctionnement?
Comment le boîtier affecte-t-il le placement et le routage de la carte?
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