MOSFET canal N Infineon 13 A 650 V Enrichissement, 4 broches, VSON CoolMOS

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Code commande RS:
222-4683
Référence fabricant:
IPL60R185C7AUMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

13A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

VSON

Série

CoolMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

185mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

24nC

Dissipation de puissance maximum Pd

77W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

900mV

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

8.1mm

Hauteur

1.1mm

Normes/homologations

No

Largeur

8.1mm

Standard automobile

Non

La conception Infineon de transistors MOSFET, également appelés transistors MOSFET, est l'acronyme de "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.

Produit vert (conforme à la norme RoHS)

Homologation AEC Q101 avec Peak Reflow MSL1

OptiMOS TM - transistor MOSFET de puissance pour les applications automobiles

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