MOSFET canal N Infineon 100 A 30 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS
- Code commande RS:
- 906-4280
- Référence fabricant:
- BSC011N03LSATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
14,70 €
HT
17,60 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- 7 740 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 + | 1,47 € | 14,70 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 906-4280
- Référence fabricant:
- BSC011N03LSATMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de Boitier | TDSON | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 96W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 36nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Largeur | 5.35mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série OptiMOS | ||
Type de Boitier TDSON | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 96W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 36nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Largeur 5.35mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS : Exempté
Transistor MOSFET Infineon série OptiMOS, tension de source de drain maximale de 30 V, courant de drain continu maximal de 100 A - BSC011N03LSATMA1
Caractéristiques et avantages :
• Capacité de drainage continu élevée de 100 A pour supporter des charges lourdes
• La dissipation de puissance de crête de 96 W permet un transfert de puissance élevé
• La faible tension directe de 1 V améliore l'efficacité de la conversion
• La charge de grille typique de 36 nC permet des transitions de grille rapides
• La tolérance nominale de la grille de 20 V protège contre les surtensions de la grille
Applications
• Idéal pour les étapes d'entraînement de moteur à courant élevé
• Utilisé avec les modules de distribution d'alimentation dans les racks de télécommunications
• Peut être utilisé pour la conversion d'alimentation c.c.-c.c. dans les onduleurs
• Convient aux systèmes de gestion des batteries et de charge
Quelles sont les limites thermiques que les concepteurs doivent-ils tolérer en cas de fonctionnement prolongé?
Comment la charge de grille affecte-t-elle les exigences d'entraînement?
Quelles sont les considérations relatives au montage nécessaires pour garantir des performances fiables?
Quelles sont les valeurs nominales électriques qui dictent la tension et le courant de commutation maximum?
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 100 A 30 V Enrichissement TDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 100 A 30 V Enrichissement TDSON OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 100 A 30 V Enrichissement TDSON OptiMOS 5
- MOSFET canal N Infineon 40 A 30 V Enrichissement TDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 57 A 30 V Enrichissement TDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 100 A 25 V Enrichissement TDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 100 A 40 V Enrichissement TDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 100 A 100 V Enrichissement TDSON OptiMOS 3
