MOSFET 1 canal N Infineon 163 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 FL OptiMOS 6 Power Transistor Non

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285-045
Référence fabricant:
ISC037N12NM6ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

163A

Tension Drain Source maximum Vds

120V

Type de Boitier

PG-TDSON-8 FL

Série

OptiMOS 6 Power Transistor

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Nombre d'éléments par circuit

1

Standard automobile

Non

Le MOSFET d'Infineon est un transistor de puissance à canal N très performant qui offre une efficacité et une fiabilité exceptionnelles pour une large gamme d'applications. Doté de caractéristiques thermiques innovantes, ce composant excelle dans les environnements exigeants avec des températures pouvant atteindre 175°C. Construit à l'aide de la technologie OptiMOS de pointe, il garantit des pertes d'énergie minimales et des capacités de commutation améliorées, ce qui le rend idéal pour les applications haute fréquence. Qu'il soit déployé dans des environnements industriels ou utilisé pour le redressement synchrone, ce dispositif est conforme à la directive RoHS, ce qui garantit qu'il répond aux normes environnementales modernes.

Optimisé pour la commutation à haute fréquence

Placage au plomb sans plomb pour la conformité

MSL 1 classée pour sa fiabilité

La faible charge de récupération inverse améliore l'efficacité

Indice élevé d'énergie d'avalanche pour la protection

L'excellente charge de grille réduit les pertes d'entraînement

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