Fairchild Semiconductor

Composants discrets

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Description
Détails du produit
Diode à faibles signaux
  • 0,013 €
    l'unité (en bobine de 2000)
Diode à faibles signaux
Voir produits similaires Diodes de commutation
Diode à usage général, 400mA, 100V, DO-35, 2 broches
  • 0,01 €
    l'unité (en bobine de 5000)
Diode à usage général, 400mA, 100V, DO-35, 2 broches
  • Courant direct maximum400mA
  • Configuration de diodeSimple
  • Nombre d'éléments par circuit1
  • Type de montageTraversant
  • Tension inverse maximum100V
Voir produits similaires Diodes de commutation
Diode de commutation, 300mA, 100V, DO-35, 2 broches
  • 0,012 €
    l'unité (en boîte de 2000)
Diode de commutation, 300mA, 100V, DO-35, 2 broches
  • Courant direct maximum300mA
  • Configuration de diodeSimple
  • Type de montageTraversant
  • Nombre d'éléments par circuit1
  • Tension inverse maximum100V
Voir produits similaires Diodes de commutation
Diode de commutation, 400mA, 100V, DO-35, 2 broches
  • 0,044 €
    l'unité (par multiple de 20)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode de commutation, 400mA, 100V, DO-35, 2 broches
  • Configuration de diodeSimple
  • Courant direct maximum400mA
  • Nombre d'éléments par circuit1
  • Type de montageTraversant
  • Tension inverse maximum100V
Voir produits similaires Diodes de commutation
IGBT, HGTG20N60A4D, , 70 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
  • 3,83 €la pièce
IGBT, HGTG20N60A4D, , 70 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum70 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±20V
  • Type de boîtierA-247
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires IGBT
IGBT, HGTG40N60A4, , 75 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
  • 9,947 €
    l'unité (en tube de 30)
IGBT, HGTG40N60A4, , 75 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum75 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±20V
  • Type de boîtierA-247
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires IGBT
IGBT, ISL9V3040S3ST, , 21 A, 450 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
  • 1,554 €
    l'unité (en bobine de 800)
IGBT, ISL9V3040S3ST, , 21 A, 450 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum21 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum450 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±14V
  • Dissipation de puissance maximum150 W
  • Type de boîtierD2PAK (TO-263)
Voir produits similaires IGBT
IGBT, ISL9V3040S3ST, , 21 A, 450 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
  • 2,712 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
IGBT, ISL9V3040S3ST, , 21 A, 450 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum21 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum450 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±14V
  • Dissipation de puissance maximum150 W
  • Type de boîtierD2PAK (TO-263)
Voir produits similaires IGBT
Diode TVS Bidirectionnel, claq. 20.9V, 30.6V DO-15, 2 broches, dissip. 600W
  • 0,378 €
    l'unité (par multiple de 5)
Diode TVS Bidirectionnel, claq. 20.9V, 30.6V DO-15, 2 broches, dissip. 600W
  • Configuration de diodeSimple
  • Type de directionBidirectionnel
  • Tension de pincement maximum30.6V
  • Tension de claquage20.9V
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Diodes TVS
MOSFET Fairchild Semiconductor canal N, TO-220AB 17 A 60 V, 3 broches
  • 2,486 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Fairchild Semiconductor canal N, TO-220AB 17 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum17 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-220AB
  • SériePowerTrench
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Fairchild Semiconductor canal N, A-247 56 A 100 V, 3 broches
  • 2,36 €
    l'unité (par multiple de 2)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Fairchild Semiconductor canal N, A-247 56 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum56 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieUltraFET
  • Type de boîtierA-247
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor canal N, DPAK 7,8 A 200 V, 3 broches
  • 0,648 €
    l'unité (par multiple de 5)
Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor canal N, DPAK 7,8 A 200 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum7,8 A
  • Tension Drain Source maximum200 V
  • Type de boîtierDPAK
  • SérieQFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
SOT-23 5 broches
  • 0,849 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
SOT-23 5 broches
  • InterfaceCI pour pilote ADC différentiel
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSOT-23
  • Nombre de broches5
  • Dimensions3 x 1.7 x 1.25mm
Voir produits similaires Transistors bipolaires
IGBT, ISL9V3040P3, , 21 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches, Simple
  • 2,898 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
IGBT, ISL9V3040P3, , 21 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum21 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum450 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±14V
  • Dissipation de puissance maximum150 W
  • Type de boîtierTO-220AB
Voir produits similaires IGBT
IGBT, ISL9V3040P3, , 21 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches, Simple
  • 2,303 €
    l'unité (en tube de 50)
IGBT, ISL9V3040P3, , 21 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum21 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum450 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±14V
  • Dissipation de puissance maximum150 W
  • Type de boîtierTO-220AB
Voir produits similaires IGBT
IGBT, ISL9V5036S3ST, , 46 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
  • 4,112 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
IGBT, ISL9V5036S3ST, , 46 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum46 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum420 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±14V
  • Dissipation de puissance maximum250 W
  • Type de boîtierD2PAK (TO-263)
Voir produits similaires IGBT
MOSFET Fairchild Semiconductor canal N, SOIC 4,5 A 100 V, 8 broches
  • 0,826 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Fairchild Semiconductor canal N, SOIC 4,5 A 100 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum4,5 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierSOIC
  • SérieUltraFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
IGBT, ISL9V5036S3ST, , 46 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
  • 2,061 €
    l'unité (en bobine de 800)
IGBT, ISL9V5036S3ST, , 46 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum46 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum420 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±14V
  • Dissipation de puissance maximum250 W
  • Type de boîtierD2PAK (TO-263)
Voir produits similaires IGBT
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