IXYS

Semi-conducteurs

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Description
Détails du produit
  • 6,371 €
    l'unité (en tube de 30)
MOSFET IXYS canal N, A-247 74 A 200 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum74 A
  • Tension Drain Source maximum200 V
  • Type de boîtierA-247
  • SérieHiperFET, Polar
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  • Code commande RS
    920-0726
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    IXFH74N20P
  • 5,29 €la pièce
Diode de commutation, TO-247AD, 2 broches
  • Configuration de diodeSimple
  • Nombre d'éléments par circuit1
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-247AD
  • Technologie de diodeJonction au silicium
Voir produits similaires Diodes de commutation
  • Code commande RS
    761-4117
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    DSEP30-12A
  • 19,427 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET IXYS canal N, TO-264P 120 A 650 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum120 A
  • Tension Drain Source maximum650 V
  • Type de boîtierTO-264P
  • SérieHiperFET
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  • Code commande RS
    146-4238
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    IXFK120N65X2
  • 186,573 €
    l'unité (en boîte de 3)
Diode Montage panneau IXYS, 270A, 1600V, Y1 CU
  • Type de montageMontage panneau
  • Type de boîtierY1 CU
  • Courant direct continu maximum270A
  • Tension inverse de crête répétitive1600V
  • Configuration de diodeSérie
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  • Code commande RS
    177-5339
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    MDD255-16N1
  • 5,088 €
    l'unité (en tube de 30)
Diode traversante IXYS, 45A, 1200V, TO-247AD
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-247AD
  • Courant direct continu maximum45A
  • Tension inverse de crête répétitive1200V
  • Configuration de diodeCathode commune
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  • Code commande RS
    168-4655
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    DSP45-12A
  • 11,845 €
    l'unité (en tube de 30)
MOSFET IXYS canal N, A-247 80 A 650 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum80 A
  • Tension Drain Source maximum650 V
  • SérieHiperFET
  • Type de boîtierA-247
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  • Code commande RS
    146-4236
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    IXFH80N65X2
  • 6,067 €
    l'unité (en tube de 30)
MOSFET IXYS canal N, A-247 34 A 650 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum34 A
  • Tension Drain Source maximum650 V
  • Type de boîtierA-247
  • SérieX2-Class
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  • Code commande RS
    146-1787
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    IXTH34N65X2
  • 60,96 €la pièce
Module IGBT, MID145-12A3, , 160 A, 1200 V, Y4 M5, 7 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum160 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum1200 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±20V
  • Type de boîtierY4 M5
  • ConfigurationSimple
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  • Code commande RS
    194-401
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    MID145-12A3
  • 7,494 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET IXYS canal N, TO-220AB 26 A 500 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum26 A
  • Tension Drain Source maximum500 V
  • Type de boîtierTO-220AB
  • SérieHiperFET, Polar3
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  • Code commande RS
    146-1749
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    IXFP26N50P3
  • 54,99 €la pièce
MOSFET IXYS canal N, SOT-227 38 A 1 000 V, 4 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum38 A
  • Tension Drain Source maximum1 000 V
  • SérieHiperFET, Q3-Class
  • Type de boîtierSOT-227
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  • Code commande RS
    804-7577
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    IXFN44N100Q3
  • 25,05 €la pièce
Diode Montage panneau IXYS, 30A, 1000V, SOT-227B
  • Type de montageMontage panneau
  • Type de boîtierSOT-227B
  • Courant direct continu maximum30A
  • Tension inverse de crête répétitive1000V
  • Configuration de diodeIsolé
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  • Code commande RS
    711-5285
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    DSEI2X31-10B
  • 9,73 €
    l'unité (en tube de 30)
IGBT, IXYH40N120C3, , 70 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum70 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum1200 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±20V
  • Dissipation de puissance maximum577 W
  • Type de boîtierA-247
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  • Code commande RS
    168-4780
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    IXYH40N120C3
  • 44,28 €la pièce
MOSFET IXYS canal N, SMPD 132 A 250 V, 24 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum132 A
  • Tension Drain Source maximum250 V
  • Type de boîtierSMPD
  • SérieGigaMOS, HiperFET
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  • Code commande RS
    875-2481
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    MMIX1F180N25T
  • 92,74 €la pièce
Module IGBT, MDI200-12A4, , 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 7 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum270 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum1200 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±20V
  • ConfigurationSimple
  • Type de boîtierY3 DCB
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  • Code commande RS
    194-653
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    MDI200-12A4
  • 6,715 €
    l'unité (par multiple de 2)
MOSFET IXYS canal N, A-247 34 A 650 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum34 A
  • Tension Drain Source maximum650 V
  • SérieX2-Class
  • Type de boîtierA-247
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  • Code commande RS
    917-1463
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    IXTH34N65X2
  • 8,359 €
    l'unité (en tube de 60)
IGBT, IXGH48N60B3, , 280 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum280 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±20V
  • Dissipation de puissance maximum300 W
  • Type de boîtierA-247
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  • Code commande RS
    146-1729
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    IXGH48N60B3
  • 6,203 €
    l'unité (en tube de 30)
IGBT, IXYH20N120C3, , 40 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum40 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum1200 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±20V
  • Dissipation de puissance maximum278 W
  • Type de boîtierA-247
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  • Code commande RS
    168-4777
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    IXYH20N120C3
  • 116,553 €
    l'unité (en boîte de 6)
Module thyristor dual, MCC161-22IO1, 165A, 150mA, 2200V, Y4 M6, 7 broches
  • Courant moyen à l'état passant165A
  • Type de ThyristorModule thyristor
  • Type de boîtierY4 M6
  • Tension inverse de crête Répétitive2200V
  • Courant de surcharge6.4kA
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  • Code commande RS
    146-1697
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    MCC161-22IO1
  • 42,561 €
    l'unité (en tube de 20)
MOSFET IXYS canal N, SMPD 550 A 55 V, 24 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum550 A
  • Tension Drain Source maximum55 V
  • Type de boîtierSMPD
  • SérieGigaMOS, HiperFET
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  • Code commande RS
    168-4794
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    MMIX1T550N055T2
  • 10,06 €la pièce
MOSFET IXYS canal N, A-247 60 A 500 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum60 A
  • Tension Drain Source maximum500 V
  • Type de boîtierA-247
  • SérieHiperFET, Polar3
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  • Code commande RS
    802-4382
  • Marque
    IXYS
  • Référence fabricant
    IXFH60N50P3
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