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Description
Détails du produit
  • 0,742 €
    L'unité (en sachet de 1000)
MOSFET Microchip canal P, TO-92 250 mA 60 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum250 mA
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • SérieVP0106
  • Type de boîtierTO-92
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  • 9,93 €la pièce
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 30A, 1200V, TO-247
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-247
  • Courant direct continu maximum30A
  • Tension inverse de crête répétitive1200V
  • SérieMSC0
Voir produits similaires Diodes Schottky et de redressements
  • 11,53 €la pièce
MOSFET Microchip canal N, TO-247 26 A 1 200 V
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum26 A
  • Tension Drain Source maximum1 200 V
  • Type de boîtierTO-247
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 12,20 €la pièce
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 30A, 700V, TO-247
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-247
  • Courant direct continu maximum30A
  • Tension inverse de crête répétitive700V
  • SérieMSC0
Voir produits similaires Diodes Schottky et de redressements
  • 1,426 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Microchip canal N, SOT-89 240 V
  • Type de canalN
  • Tension Drain Source maximum240 V
  • Type de boîtierSOT-89
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 1,995 €
    l'unité (en bobine de 2000)
MOSFET Microchip canal N, DPAK 400 V
  • Type de canalN
  • Tension Drain Source maximum400 V
  • Type de boîtierDPAK
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 1,786 €
    l'unité (en plateau de 1000)
MOSFET Microchip canal P, TO-92 643 mA 60 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum643 mA
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-92
  • SérieVP2206
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  • 355,38 €la pièce
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 90A, 3300V, TO-247 MAX
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-247 MAX
  • Courant direct continu maximum90A
  • Tension inverse de crête répétitive3300V
  • Configuration de diodePaire anti-parallèle
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  • 0,984 €
    l'unité (par multiple de 10)
MOSFET Microchip canal N, TO-92 60 V
  • Type de canalN
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-92
  • Type de montageTraversant
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  • 65,708 €
    l'unité (en tube de 10)
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 30A, 1700V, SOT-227
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierSOT-227
  • Courant direct continu maximum30A
  • Tension inverse de crête répétitive1700V
  • SérieMSC2
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  • 0,984 €
    l'unité (par multiple de 10)
MOSFET Microchip canal N, TO-243AA 170 mA 400 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum170 mA
  • Tension Drain Source maximum400 V
  • SérieDN2540
  • Type de boîtierTO-243AA
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  • 1,028 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • 9,466 €
    l'unité (en tube de 30)
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 20A, 1200V, TO-247
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-247
  • Courant direct continu maximum20A
  • Tension inverse de crête répétitive1200V
  • SérieMSC0
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  • 0,798 €
    l'unité (par multiple de 10)
MOSFET Microchip canal N, SOT-23 240 V
  • Type de canalN
  • Tension Drain Source maximum240 V
  • Type de boîtierSOT-23
  • Type de montageTraversant
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  • 34,17 €la pièce
MOSFET Microchip canal N, TO247-4 99 A 700 V, 4 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum99 A
  • Tension Drain Source maximum700 V
  • Type de boîtierTO247-4
  • Type de montageTraversant
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  • 0,984 €
    l'unité (par multiple de 10)
MOSFET Microchip canal P, TO-92 250 mA 60 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum250 mA
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • SérieVP0106
  • Type de boîtierTO-92
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  • 1,288 €
    L'unité (en sachet de 1000)
MOSFET Microchip canal N, TO-92 240 V
  • Type de canalN
  • Tension Drain Source maximum240 V
  • Type de boîtierTO-92
  • Type de montageTraversant
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  • 7,378 €
    l'unité (en tube de 30)
MOSFET Microchip canal N, TO247-4 28 A 700 V, 4 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum28 A
  • Tension Drain Source maximum700 V
  • Type de boîtierTO247-4
  • Type de montageTraversant
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  • 0,566 €
    L'unité (en sachet de 1000)
MOSFET Microchip canal N, TO-92 60 V
  • Type de canalN
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-92
  • Type de montageTraversant
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  • 0,265 €
    l'unité (en bobine de 3000)
MOSFET Microchip canal N, TO-236 280 mA 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum280 mA
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-236
  • SérieTN2106
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