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Détails du produit
MOSFET Microchip canal N, TO-236 280 mA 60 V, 3 broches
  • 0,265 €
    l'unité (en bobine de 3000)
MOSFET Microchip canal N, TO-236 280 mA 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum280 mA
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-236
  • SérieTN2106
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Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 30A, 700V, TO-247
  • 11,252 €
    l'unité (en tube de 30)
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 30A, 700V, TO-247
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-247
  • Courant direct continu maximum30A
  • Tension inverse de crête répétitive700V
  • SérieMSC0
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MOSFET Microchip canal N, TO247-4 54 A 700 V, 4 broches
  • 13,282 €
    l'unité (en tube de 30)
MOSFET Microchip canal N, TO247-4 54 A 700 V, 4 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum54 A
  • Tension Drain Source maximum700 V
  • Type de boîtierTO247-4
  • Type de montageTraversant
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MOSFET Microchip canal P, TO-92 250 mA 90 V, 3 broches
  • 1,078 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal P, TO-92 250 mA 90 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum250 mA
  • Tension Drain Source maximum90 V
  • Type de boîtierTO-92
  • SérieVP0109
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Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 10A, 1700V, TO-247
  • 8,19 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 10A, 1700V, TO-247
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-247
  • Courant direct continu maximum10A
  • Tension inverse de crête répétitive1700V
  • SérieMSC0
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Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 30A, 1700V, SOT-227
  • 65,708 €
    l'unité (en tube de 10)
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 30A, 1700V, SOT-227
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierSOT-227
  • Courant direct continu maximum30A
  • Tension inverse de crête répétitive1700V
  • SérieMSC2
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MOSFET Microchip canal N, TO-92 400 V
  • 1,087 €
    l'unité (en bobine de 1000)
MOSFET Microchip canal N, TO-92 400 V
  • Type de canalN
  • Tension Drain Source maximum400 V
  • Type de boîtierTO-92
  • Type de montageTraversant
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Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 20A, 1200V, TO-220
  • 9,141 €
    l'unité (en tube de 25)
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 20A, 1200V, TO-220
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-220
  • Courant direct continu maximum20A
  • Tension inverse de crête répétitive1200V
  • SérieMSC0
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MOSFET Microchip canal N, TO-92 150 mA 250 V, 3 broches
  • 0,52 €
    l'unité (par multiple de 25)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal N, TO-92 150 mA 250 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum150 mA
  • Tension Drain Source maximum250 V
  • Type de boîtierTO-92
  • SérieTN5325
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MOSFET Microchip canal N, TO-243AA 260 mA 400 V, 3 broches
  • 1,543 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal N, TO-243AA 260 mA 400 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum260 mA
  • Tension Drain Source maximum400 V
  • SérieTN2540
  • Type de boîtierTO-243AA
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MOSFET Microchip canal P, SOT-89 160 mA 500 V, 3 broches
  • 1,972 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal P, SOT-89 160 mA 500 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum160 mA
  • Tension Drain Source maximum500 V
  • SérieVP2450
  • Type de boîtierSOT-89
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Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 10A, 1200V, TO-247
  • 4,48 €
    l'unité (par multiple de 2)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 10A, 1200V, TO-247
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-247
  • Courant direct continu maximum10A
  • Tension inverse de crête répétitive1200V
  • SérieMSC0
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Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 30A, 1700V, TO-247
  • 21,112 €
    l'unité (en tube de 30)
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 30A, 1700V, TO-247
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-247
  • Courant direct continu maximum30A
  • Tension inverse de crête répétitive1700V
  • SérieMSC0
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MOSFET Microchip canal P, TO-92 643 mA 60 V, 3 broches
  • 1,786 €
    l'unité (en plateau de 1000)
MOSFET Microchip canal P, TO-92 643 mA 60 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum643 mA
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-92
  • SérieVP2206
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MOSFET Microchip canal P, SC-70-6L 2 A 6 V, 6 broches
  • 0,592 €
    l'unité (en bobine de 3000)
MOSFET Microchip canal P, SC-70-6L 2 A 6 V, 6 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum2 A
  • Tension Drain Source maximum6 V
  • Type de boîtierSC-70-6L
  • SérieMIC94052
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MOSFET Microchip canal N, TO-243AA 260 mA 400 V, 3 broches
  • 1,172 €
    l'unité (en bobine de 2000)
MOSFET Microchip canal N, TO-243AA 260 mA 400 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum260 mA
  • Tension Drain Source maximum400 V
  • SérieTN2540
  • Type de boîtierTO-243AA
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MOSFET Microchip canal N, TO-243AA 200 mA 600 V, 3 broches
  • 1,067 €
    l'unité (en bobine de 2000)
MOSFET Microchip canal N, TO-243AA 200 mA 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum200 mA
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • SérieVN2460
  • Type de boîtierTO-243AA
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MOSFET Microchip canal N, TO-247 46 A 1 200 V
  • 20,578 €
    l'unité (en tube de 30)
MOSFET Microchip canal N, TO-247 46 A 1 200 V
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum46 A
  • Tension Drain Source maximum1 200 V
  • Type de boîtierTO-247
  • Type de montageTraversant
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MOSFET Microchip canal N, TO-247-4 26 A 1 200 V, 4 broches
  • 12,24 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal N, TO-247-4 26 A 1 200 V, 4 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum26 A
  • Tension Drain Source maximum1 200 V
  • Type de boîtierTO-247-4
  • Type de montageTraversant
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MOSFET Microchip canal N, TO-92 350 mA 100 V, 3 broches
  • 1,172 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal N, TO-92 350 mA 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum350 mA
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieTN0110
  • Type de boîtierTO-92
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