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Description
Détails du produit
MOSFET Microchip canal N, TO-243AA 30 mA 500 V, 4 broches
  • 0,733 €
    l'unité (par multiple de 20)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal N, TO-243AA 30 mA 500 V, 4 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum30 mA
  • Tension Drain Source maximum500 V
  • Type de boîtierTO-243AA
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Microchip canal N, DFN 1,1 A 250 V, 8 broches
  • 2,042 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal N, DFN 1,1 A 250 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum1,1 A
  • Tension Drain Source maximum250 V
  • Type de boîtierDFN
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Microchip canal N, TO-92 130 mA 450 V, 3 broches
  • 0,835 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal N, TO-92 130 mA 450 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum130 mA
  • Tension Drain Source maximum450 V
  • Type de boîtierTO-92
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Transistor MOSFET Microchip canal N, TO-92 130 mA 450 V, 3 broches
  • 0,64 €
    L'unité (en sachet de 1000)
Transistor MOSFET Microchip canal N, TO-92 130 mA 450 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum130 mA
  • Tension Drain Source maximum450 V
  • SérieDN3545
  • Type de boîtierTO-92
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MOSFET Microchip canal N, TO-243AA 230 mA 350 V, 4 broches
  • 0,835 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal N, TO-243AA 230 mA 350 V, 4 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum230 mA
  • Tension Drain Source maximum350 V
  • Type de boîtierTO-243AA
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 10A, 700V, TO-220
  • 2,714 €
    l'unité (en tube de 25)
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 10A, 700V, TO-220
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-220
  • Courant direct continu maximum10A
  • Tension inverse de crête répétitive700V
  • SérieMSC0
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Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 10A, 700V, TO-220
  • 2,946 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 10A, 700V, TO-220
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-220
  • Courant direct continu maximum10A
  • Tension inverse de crête répétitive700V
  • SérieMSC0
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Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 20A, 1200V, TO-220
  • 9,91 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 20A, 1200V, TO-220
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-220
  • Courant direct continu maximum20A
  • Tension inverse de crête répétitive1200V
  • SérieMSC0
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MOSFET Microchip canal N, SOT-23 72 mA 350 V, 3 broches
  • 0,492 €
    l'unité (en bobine de 3000)
MOSFET Microchip canal N, SOT-23 72 mA 350 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum72 mA
  • Tension Drain Source maximum350 V
  • Type de boîtierSOT-23
  • SérieDN3135
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Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 10A, 1200V, TO-247
  • 3,654 €
    l'unité (en tube de 30)
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 10A, 1200V, TO-247
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-247
  • Courant direct continu maximum10A
  • Tension inverse de crête répétitive1200V
  • SérieMSC0
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MOSFET Microchip canal N, TO-247 46 A 1 200 V
  • 22,32 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal N, TO-247 46 A 1 200 V
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum46 A
  • Tension Drain Source maximum1 200 V
  • Type de boîtierTO-247
  • Type de montageTraversant
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MOSFET Microchip canal N, TO-39 350 mA 90 V, 3 broches
  • 14,76 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal N, TO-39 350 mA 90 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum350 mA
  • Tension Drain Source maximum90 V
  • Type de boîtierTO-39
  • Série2N6661
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Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 30A, 1200V, TO-247
  • 9,152 €
    l'unité (en tube de 30)
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 30A, 1200V, TO-247
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-247
  • Courant direct continu maximum30A
  • Tension inverse de crête répétitive1200V
  • SérieMSC0
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MOSFET Microchip canal N, TO-247 26 A 1 200 V
  • 9,234 €
    l'unité (en tube de 30)
MOSFET Microchip canal N, TO-247 26 A 1 200 V
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum26 A
  • Tension Drain Source maximum1 200 V
  • Type de boîtierTO-247
  • Type de montageTraversant
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MOSFET Microchip canal N, TO-92 350 mA 60 V, 3 broches
  • 0,984 €
    l'unité (par multiple de 20)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal N, TO-92 350 mA 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum350 mA
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-92
  • SérieTN0106
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Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 30A, 700V, TO-247
  • 11,252 €
    l'unité (en tube de 30)
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 30A, 700V, TO-247
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-247
  • Courant direct continu maximum30A
  • Tension inverse de crête répétitive700V
  • SérieMSC0
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MOSFET Microchip canal N, SOT-89 240 V
  • 1,067 €
    l'unité (en bobine de 2000)
MOSFET Microchip canal N, SOT-89 240 V
  • Type de canalN
  • Tension Drain Source maximum240 V
  • Type de boîtierSOT-89
  • Type de montageTraversant
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Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 90A, 3300V, TO-247 MAX
  • 327,712 €
    l'unité (en tube de 30)
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 90A, 3300V, TO-247 MAX
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-247 MAX
  • Courant direct continu maximum90A
  • Tension inverse de crête répétitive3300V
  • Configuration de diodePaire anti-parallèle
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MOSFET Microchip canal N, TO-92 60 V
  • 0,742 €
    L'unité (en sachet de 1000)
MOSFET Microchip canal N, TO-92 60 V
  • Type de canalN
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-92
  • Type de montageTraversant
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Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 10A, 1200V, TO-247
  • 4,48 €
    l'unité (par multiple de 2)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 10A, 1200V, TO-247
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-247
  • Courant direct continu maximum10A
  • Tension inverse de crête répétitive1200V
  • SérieMSC0
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