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Détails du produit
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 30A, 1700V, SOT-227
  • 72,79 €
    l'unité (en tube de 10)
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 30A, 1700V, SOT-227
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierSOT-227
  • Courant direct continu maximum30A
  • Tension inverse de crête répétitive1700V
  • SérieMSC2
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MOSFET Microchip canal N, TO-39 350 mA 90 V, 3 broches
  • 12,425 €
    L'unité (en sachet de 500)
MOSFET Microchip canal N, TO-39 350 mA 90 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum350 mA
  • Tension Drain Source maximum90 V
  • Type de boîtierTO-39
  • Série2N6661
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MOSFET Microchip canal N, DPAK 400 V
  • 1,995 €
    l'unité (en bobine de 2000)
MOSFET Microchip canal N, DPAK 400 V
  • Type de canalN
  • Tension Drain Source maximum400 V
  • Type de boîtierDPAK
  • Type de montageTraversant
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MOSFET Microchip canal P, SOT-23 40 V
  • 0,752 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal P, SOT-23 40 V
  • Type de canalP
  • Tension Drain Source maximum40 V
  • Type de boîtierSOT-23
  • Type de montageTraversant
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MOSFET Microchip canal N, TO-247-4 5 A 1700 V, 4 broches
  • 5,21 €
    l'unité (par multiple de 2)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal N, TO-247-4 5 A 1700 V, 4 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum5 A
  • Tension Drain Source maximum1700 V
  • Type de boîtierTO-247-4
  • Type de montageTraversant
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MOSFET Microchip canal N, SOT-23 240 V
  • 0,594 €
    l'unité (en bobine de 3000)
MOSFET Microchip canal N, SOT-23 240 V
  • Type de canalN
  • Tension Drain Source maximum240 V
  • Type de boîtierSOT-23
  • Type de montageTraversant
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MOSFET Microchip canal N, TO-92 350 mA 40 V, 3 broches
  • 0,724 €
    l'unité (par multiple de 20)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal N, TO-92 350 mA 40 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum350 mA
  • Tension Drain Source maximum40 V
  • Type de boîtierTO-92
  • SérieVN0104
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Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 30A, 1200V, TO-220
  • 8,839 €
    l'unité (en tube de 25)
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 30A, 1200V, TO-220
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-220
  • Courant direct continu maximum30A
  • Tension inverse de crête répétitive1200V
  • SérieMSC0
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MOSFET Microchip canal N, TO-92 640 mA 30 V, 3 broches
  • 1,008 €
    L'unité (en sachet de 1000)
MOSFET Microchip canal N, TO-92 640 mA 30 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum640 mA
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • SérieVN0300
  • Type de boîtierTO-92
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Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 50A, 1700V, SOT-227
  • 110,374 €
    l'unité (en tube de 10)
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 50A, 1700V, SOT-227
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierSOT-227
  • Courant direct continu maximum50A
  • Tension inverse de crête répétitive1700V
  • SérieMSC2
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MOSFET Microchip canal N, SOT-23 350 V
  • 0,705 €
    l'unité (en bobine de 3000)
MOSFET Microchip canal N, SOT-23 350 V
  • Type de canalN
  • Tension Drain Source maximum350 V
  • Type de boîtierSOT-23
  • Type de montageTraversant
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MOSFET Microchip canal N, TO-92 60 V
  • 0,752 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal N, TO-92 60 V
  • Type de canalN
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-92
  • Type de montageTraversant
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MOSFET Microchip canal P, SOT-23 350 V
  • 0,585 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal P, SOT-23 350 V
  • Type de canalP
  • Tension Drain Source maximum350 V
  • Type de boîtierSOT-23
  • Type de montageTraversant
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Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 50A, 1700V, SOT-227
  • 108,02 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 50A, 1700V, SOT-227
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierSOT-227
  • Courant direct continu maximum50A
  • Tension inverse de crête répétitive1700V
  • SérieMSC2
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MOSFET Microchip canal N, TO-247 5 A 1700 V
  • 4,663 €
    l'unité (en tube de 30)
MOSFET Microchip canal N, TO-247 5 A 1700 V
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum5 A
  • Tension Drain Source maximum1700 V
  • Type de boîtierTO-247
  • Type de montageTraversant
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MOSFET Microchip canal N, TO-247 41 A 3300 V
  • 128,09 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Microchip canal N, TO-247 41 A 3300 V
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum41 A
  • Tension Drain Source maximum3300 V
  • Type de boîtierTO-247
  • Type de montageTraversant
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MOSFET Microchip canal N, TO-92 350 mA 60 V, 3 broches
  • 0,765 €
    L'unité (en sachet de 1000)
MOSFET Microchip canal N, TO-92 350 mA 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum350 mA
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • SérieTN0106
  • Type de boîtierTO-92
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MOSFET Microchip canal N, SOT-23 300 V
  • 0,324 €
    l'unité (en bobine de 3000)
MOSFET Microchip canal N, SOT-23 300 V
  • Type de canalN
  • Tension Drain Source maximum300 V
  • Type de boîtierSOT-23
  • Type de montageTraversant
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Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 90A, 3300V, TO-247 MAX
  • 327,712 €
    l'unité (en tube de 30)
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 90A, 3300V, TO-247 MAX
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-247 MAX
  • Courant direct continu maximum90A
  • Tension inverse de crête répétitive3300V
  • Configuration de diodePaire anti-parallèle
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Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 20A, 1200V, TO-247
  • 10,25 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 20A, 1200V, TO-247
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-247
  • Courant direct continu maximum20A
  • Tension inverse de crête répétitive1200V
  • SérieMSC0
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