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Détails du produit
Transistor Darlington, NPN, 4 A, 80 V, SOT-32, Traversant, 3 broches
  • 0,50 €la pièce
Transistor Darlington, NPN, 4 A, 80 V, SOT-32, Traversant, 3 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum4 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum80 V
  • Tension Emetteur Base maximum5 V
  • Type de boîtierSOT-32
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Transistor, NPN Complexe, 30 mA, 8 V, SOIC, 8 broches Hex
  • 11,19 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
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  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum30 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum8 V
  • Type de boîtierSOIC
  • Type de montageCMS
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  • 0,038 €
    l'unité (par multiple de 25)
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  • Configuration de diodeSimple
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSuper MiniMold
  • Nombre de broches2
  • Température de fonctionnement minimum-55 °C
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  • 5,876 €
    l'unité (en tube de 48)
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  • Type de transistorNPN/PNP
  • Courant continu de Collecteur maximum65 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum8 V
  • Type de boîtierSOIC
  • Type de montageCMS
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  • 0,656 €
    l'unité (en bobine de 2500)
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  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum25 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierLFPAK, SOT-669
  • Type de montageCMS
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  • 11,767 €
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  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum65 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum8 V
  • Type de boîtierSOIC
  • Type de montageCMS
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Transistor, NPN/PNP, 65 mA, 8 V, SOIC, 16 broches Pent
  • 5,88 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Transistor, NPN/PNP, 65 mA, 8 V, SOIC, 16 broches Pent
  • Type de transistorNPN/PNP
  • Courant continu de Collecteur maximum65 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum8 V
  • Type de boîtierSOIC
  • Type de montageCMS
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MOSFET Renesas Electronics canal N, TO-3PN 4 A 1500 V, 3 broches
  • 6,657 €
    l'unité (en tube de 30)
MOSFET Renesas Electronics canal N, TO-3PN 4 A 1500 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum4 A
  • Tension Drain Source maximum1500 V
  • Type de boîtierTO-3PN
  • Type de montageTraversant
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TRIAC, 1500V, 20A, TO-3PFM, 3 broches
  • 2,637 €
    l'unité (en tube de 30)
TRIAC, 1500V, 20A, TO-3PFM, 3 broches
  • Courant moyen à l'état passant20A
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-3PFM
  • Tension inverse de crête Répétitive1500V
  • Nombre de broches3
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MOSFET Renesas Electronics canal N, LFPAK, SOT-669 25 A 60 V, 4 broches
  • 0,656 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Renesas Electronics canal N, LFPAK, SOT-669 25 A 60 V, 4 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum25 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierLFPAK, SOT-669
  • Type de montageCMS
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MOSFET Renesas Electronics canal P 100 A 60 V
  • 3,114 €
    l'unité (en tube de 800)
MOSFET Renesas Electronics canal P 100 A 60 V
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum100 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de montageCMS
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Transistor MOSFET Renesas Electronics canal N, SC-65 7 A 1500 V, 3 broches
  • 4,428 €
    l'unité (en tube de 30)
Transistor MOSFET Renesas Electronics canal N, SC-65 7 A 1500 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum7 A
  • Tension Drain Source maximum1500 V
  • Série2SK1317
  • Type de boîtierSC-65
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MOSFET Renesas Electronics canal N, WPAK 50 A 30 V, 8 broches
  • 0,644 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Renesas Electronics canal N, WPAK 50 A 30 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum50 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • SérieBEAM
  • Type de boîtierWPAK
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MOSFET Renesas Electronics canal N, TO-3PN 4 A 1500 V, 3 broches
  • 8,70 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
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  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum4 A
  • Tension Drain Source maximum1500 V
  • Type de boîtierTO-3PN
  • Type de montageTraversant
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  • 2,635 €
    l'unité (par multiple de 2)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
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  • Courant moyen à l'état passant20A
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierTO-3PFM
  • Tension inverse de crête Répétitive1500V
  • Nombre de broches3
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MOSFET Renesas Electronics canal P 100 A 60 V
  • 4,815 €
    l'unité (par multiple de 2)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
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  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum100 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de montageCMS
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  • 1,058 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
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  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum40 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierLFPAK, SOT-669
  • Type de montageCMS
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  • 6,07 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
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  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum7 A
  • Tension Drain Source maximum1500 V
  • Type de boîtierSC-65
  • Série2SK1317
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  • 13,35 €la pièce
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  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum65 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum8 V
  • Type de boîtierSOIC
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MOSFET Renesas Electronics canal N, WPAK 50 A 30 V, 8 broches
  • 0,646 €
    l'unité (en bobine de 3000)
MOSFET Renesas Electronics canal N, WPAK 50 A 30 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum50 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • Type de boîtierWPAK
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