Texas Instruments

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Description
Détails du produit
  • 1,017 €
    l'unité (en tube de 150)
Diode TVS TSSOP, 8 broches
  • Configuration de diodeAnode commune
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierTSSOP
  • Nombre de broches8
  • Nombre d'éléments par circuit2
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 1,358 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Texas Instruments canal N, A-220 100 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum100 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierA-220
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,465 €
    l'unité (en bobine de 250)
MOSFET Texas Instruments canal N, PICOSTAR 3,1 A 30 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum3,1 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • SérieFemtoFET
  • Type de boîtierPICOSTAR
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,824 €
    l'unité (en tube de 25)
Paire Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, PDIP, Traversant, 16 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum500 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum50 V
  • Type de boîtierPDIP
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Transistors Darlington
  • 1,532 €
    l'unité (par multiple de 5)
Diode TVS, claq. 6.5V, 7V TSSOP, 8 broches
  • Configuration de diodeAnode commune
  • Tension de pincement maximum7V
  • Tension de claquage6.5V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierTSSOP
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 1,392 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 134 A 60 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum134 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierVSONP
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,142 €
    l'unité (en bande de 25)
Réseau de protection ESD Unidirectionnel, claq. 11V, 100V SOP, 4 broches
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Configuration de diodeEnsemble complexe
  • Tension de pincement maximum100V
  • Tension de claquage11V
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 0,192 €
    l'unité (en bobine de 2500)
Paire Darlington, NPN, 140 mA, 20 V, SOIC, CMS, 16 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum140 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum20 V
  • Type de boîtierSOIC
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors Darlington
  • 0,165 €
    l'unité (par multiple de 10)
MOSFET Texas Instruments canal N, WSON 5 A 25 V, 6 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum5 A
  • Tension Drain Source maximum25 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierWSON
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,213 €
    l'unité (en bobine de 4000)
Diode de protection ESD
  • Configuration de diodeAnode commune
  • Nombre d'éléments par circuit4
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 0,162 €
    l'unité (en bobine de 3000)
MOSFET Texas Instruments canal N, WSON 5 A 25 V, 6 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum5 A
  • Tension Drain Source maximum25 V
  • Type de boîtierWSON
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,165 €
    l'unité (par multiple de 25)
Réseau de diodes TVS Bidirectionnel, claq. 7V, 8V SOT-9X3, 3 broches, dissip. 45W
  • Configuration de diodeEnsemble complexe
  • Type de directionBidirectionnel
  • Tension de pincement maximum8V
  • Tension de claquage7V
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 0,271 €
    l'unité (en bobine de 250)
MOSFET Texas Instruments canal P, DSBGA 3 A 20 V, 6 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum3 A
  • Tension Drain Source maximum20 V
  • Type de boîtierDSBGA
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,151 €
    l'unité (en bobine de 3000)
Réseau de protection ESD Unidirectionnel, claq. 11V, 100V SOP, 4 broches
  • Configuration de diodeEnsemble complexe
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Tension de pincement maximum100V
  • Tension de claquage11V
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 0,825 €
    l'unité (en bobine de 2500)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 134 A 60 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum134 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierVSONP
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,756 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSON-CLIP 100 A 25 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum100 A
  • Tension Drain Source maximum25 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierVSON-CLIP
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,788 €
    l'unité (en bobine de 2500)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSON-CLIP 100 A 25 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum100 A
  • Tension Drain Source maximum25 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierVSON-CLIP
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,174 €
    l'unité (en bobine de 3000)
Réseau de diodes TVS Bidirectionnel, claq. 7V, 8V SOT-9X3, 3 broches, dissip. 45W
  • Type de directionBidirectionnel
  • Configuration de diodeEnsemble complexe
  • Tension de pincement maximum8V
  • Tension de claquage7V
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 0,422 €
    l'unité (en bobine de 2500)
MOSFET Texas Instruments canal N, SON 60 A 25 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum60 A
  • Tension Drain Source maximum25 V
  • Type de boîtierSON
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,79 €
    l'unité (en bobine de 250)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSON 100 A 60 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum100 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierVSON
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
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