Texas Instruments

Composants discrets

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Description
Détails du produit
  • 1,404 €
    l'unité (en tube de 50)
Diode TVS PDIP, 8 broches
  • Configuration de diodeAnode commune
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierPDIP
  • Nombre de broches8
  • Nombre d'éléments par circuit2
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 0,645 €
    l'unité (en bobine de 2500)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 100 A 60 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum100 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierVSONP
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 1,682 €
    l'unité (par multiple de 5)
Diode TVS PDIP, 8 broches
  • Configuration de diodeAnode commune
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierPDIP
  • Nombre de broches8
  • Nombre d'éléments par circuit2
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 4,617 €
    l'unité (en bobine de 50)
MOSFET Texas Instruments canal N, D2PAK (TO-263) 272 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum272 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierD2PAK (TO-263)
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 1,136 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 100 A 60 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum100 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierVSONP
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,165 €
    l'unité (par multiple de 25)
Réseau de protection ESD Unidirectionnel, claq. 11V, 100V UQFN, 10 broches
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Configuration de diodeEnsemble complexe
  • Tension de pincement maximum100V
  • Tension de claquage11V
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 5,83 €la pièce
MOSFET Texas Instruments canal N, D2PAK (TO-263) 272 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum272 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierD2PAK (TO-263)
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,273 €
    l'unité (en bobine de 2500)
MOSFET Texas Instruments canal N, SON 47 A 30 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum47 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierSON
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 7,61 €
    l'unité (en tube de 50)
Pont redresseur Monophasé, 1A, 50V, 8 broches, PDIP
  • Courant direct moyen1A
  • Type de pontMonophasé
  • Tension inverse de crête répétitive50V
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierPDIP
Voir produits similaires Ponts redresseurs
  • 0,174 €
    l'unité (en bobine de 3000)
Réseau de protection ESD Unidirectionnel, claq. 11V, 100V UQFN, 10 broches
  • Configuration de diodeEnsemble complexe
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Tension de pincement maximum100V
  • Tension de claquage11V
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 2,60 €la pièce
Transistor, NPN Simple, 1 A, 36 V, A-220, 3 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum1 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum36 V
  • Type de boîtierA-220
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Transistors bipolaires
  • 0,133 €
    l'unité (en bobine de 3000)
Réseau de protection ESD Unidirectionnel, claq. 11V, 100V SOT-23, 6 broches, dissip. 100W
  • Configuration de diodeEnsemble complexe
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Tension de pincement maximum100V
  • Tension de claquage11V
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 0,631 €
    l'unité (en bobine de 250)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSCON-CLIP 43 A 30 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum43 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierVSCON-CLIP
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 2,39 €
    l'unité (en tube de 45)
Transistor, NPN Simple, 1 A, 36 V, A-220, 3 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum1 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum36 V
  • Type de boîtierA-220
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Transistors bipolaires
  • 8,27 €la pièce
Pont redresseur Monophasé, 1A, 50V, 8 broches, PDIP
  • Type de pontMonophasé
  • Courant direct moyen1A
  • Tension inverse de crête répétitive50V
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierPDIP
Voir produits similaires Ponts redresseurs
  • 0,36 €
    l'unité (par multiple de 25)
Réseau de protection ESD Unidirectionnel, claq. 11V, 100V SOT-23, 6 broches, dissip. 100W
  • Configuration de diodeEnsemble complexe
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Tension de pincement maximum100V
  • Tension de claquage11V
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 0,084 €
    l'unité (en bobine de 3000)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 3 A 30 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum3 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • Type de boîtierVSONP
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,666 €
    l'unité (par multiple de 25)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 12 A 60 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum12 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierVSONP
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,252 €
    l'unité (par multiple de 25)
Diode de protection ESD Unidirectionnel, claq. 6.5V, 15V SC-70, 6 broches, dissip. 45W
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Tension de pincement maximum15V
  • Tension de claquage6.5V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSC-70
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 0,254 €
    l'unité (par multiple de 50)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 3 A 30 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum3 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierVSONP
Voir produits similaires Transistors MOSFET
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