Texas Instruments

Composants discrets

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Description
Détails du produit
  • 3,178 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Texas Instruments canal N, A-220 273 A 80 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum273 A
  • Tension Drain Source maximum80 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierA-220
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,197 €
    l'unité (en bobine de 4000)
Diode de protection ESD Unidirectionnel, claq. 6.5V, 9.7V SOT-5X3, 5 broches, dissip. 85W
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Tension de pincement maximum9.7V
  • Tension de claquage6.5V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSOT-5X3
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 1,23 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Texas Instruments canal P, VSON-CLIP 104 A 20 V, 8 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum104 A
  • Tension Drain Source maximum20 V
  • Type de boîtierVSON-CLIP
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,302 €
    l'unité (par multiple de 25)
Diode TVS Unidirectionnel, claq. 4.5V, 6.5V X1SON, 2 broches, dissip. 36W
  • Configuration de diodeSimple
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Tension de pincement maximum6.5V
  • Tension de claquage4.5V
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 0,396 €
    l'unité (en bobine de 250)
Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 6.4V, 15V X2SON
  • Type de directionBidirectionnel
  • Tension de pincement maximum15V
  • Tension de claquage6.4V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierX2SON
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 3,713 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Texas Instruments canal N, D2PAK (TO-263) 349 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum349 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierD2PAK (TO-263)
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,912 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Texas Instruments canal N, A-220 54 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum54 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierA-220
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,366 €
    l'unité (en bobine de 250)
MOSFET Texas Instruments canal P, PICOSTAR 2,9 A –12 V
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum2,9 A
  • Tension Drain Source maximum–12 V
  • Type de boîtierPICOSTAR
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,741 €
    l'unité (en bobine de 2500)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 100 A 25 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum100 A
  • Tension Drain Source maximum25 V
  • Type de boîtierVSONP
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,459 €
    l'unité (par multiple de 25)
Diode de protection ESD Unidirectionnel, claq. 6.5V, 9.7V SOT-5X3, 5 broches, dissip. 85W
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Tension de pincement maximum9.7V
  • Tension de claquage6.5V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSOT-5X3
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 1,218 €
    l'unité (en bobine de 500)
MOSFET Texas Instruments canal N, DDPAK/ TO-263 200 A 100 V
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum200 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierDDPAK/ TO-263
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,174 €
    l'unité (en bobine de 2000)
Réseau de transistors Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, TSSOP, 16 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum500 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum50 V
  • Type de boîtierTSSOP
  • Nombre de broches16
Voir produits similaires Transistors Darlington
  • 0,753 €
    l'unité (en bobine de 2500)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 100 A 100 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum100 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierVSONP
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,157 €
    l'unité (en bobine de 3000)
MOSFET Texas Instruments canal P, WSON 20 A 20 V, 6 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum20 A
  • Tension Drain Source maximum20 V
  • Type de boîtierWSON
  • SérieNexFET
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  • 0,301 €
    l'unité (en bobine de 3000)
Réseau de protection ESD Unidirectionnel, claq. 7V, 8V USON, 10 broches, dissip. 45W
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Configuration de diodeRéseau
  • Tension de pincement maximum8V
  • Tension de claquage7V
  • Type de montageCMS
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  • 0,127 €
    l'unité (en bobine de 4000)
Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 9.5V, 10.9V SOT-5X3
  • Type de directionBidirectionnel
  • Tension de pincement maximum10.9V
  • Tension de claquage9.5V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSOT-5X3
Voir produits similaires Diodes TVS
  • 0,513 €
    l'unité (par multiple de 10)
Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 6.4V, 15V X2SON
  • Type de directionBidirectionnel
  • Tension de pincement maximum15V
  • Tension de claquage6.4V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierX2SON
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  • 1,636 €
    l'unité (en bobine de 250)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSON-CLIP 157 A 80 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum157 A
  • Tension Drain Source maximum80 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierVSON-CLIP
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,283 €
    l'unité (par multiple de 10)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 73 A 30 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum73 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierVSONP
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,336 €
    l'unité (en bobine de 3000)
Réseau de protection ESD, claq. 6V SON, 12 broches
  • Configuration de diodeRéseau
  • Tension de claquage6V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSON
  • Nombre de broches12
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