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Détails du produit
MOSFET Texas Instruments canal N, D²PAK 200 A 60 V, 3 broches
  • 5,625 €
    l'unité (par multiple de 2)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Texas Instruments canal N, D²PAK 200 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum200 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierD²PAK
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Texas Instruments canal N, PICOSTAR 1,5 A 30 V
  • 0,69 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Texas Instruments canal N, PICOSTAR 1,5 A 30 V
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum1,5 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • Type de boîtierPICOSTAR
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Texas Instruments canal N, Picostar YSE 6 8 A 52 A
  • 0,737 €
    l'unité (en bobine de 250)
MOSFET Texas Instruments canal N, Picostar YSE 6 8 A 52 A
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum8 A
  • Tension Drain Source maximum52 A
  • Type de boîtierPicostar YSE 6
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Texas Instruments canal P, PICOSTAR 2,9 A –12 V
  • 0,734 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Texas Instruments canal P, PICOSTAR 2,9 A –12 V
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum2,9 A
  • Tension Drain Source maximum–12 V
  • Type de boîtierPICOSTAR
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Texas Instruments canal N, PICOSTAR 3 A 30 V, 3 broches
  • 0,135 €
    l'unité (en bobine de 250)
MOSFET Texas Instruments canal N, PICOSTAR 3 A 30 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum3 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • SérieFemtoFET
  • Type de boîtierPICOSTAR
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 100 A 25 V, 8 broches
  • 0,862 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 100 A 25 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum100 A
  • Tension Drain Source maximum25 V
  • Type de boîtierVSONP
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Réseau de transistors Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, TSSOP, 16 broches
  • 0,394 €
    l'unité (par multiple de 25)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Réseau de transistors Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, TSSOP, 16 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum500 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum50 V
  • Type de boîtierTSSOP
  • Nombre de broches16
Voir produits similaires Transistors Darlington
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 50 A 100 V, 8 broches
  • 0,659 €
    l'unité (en bobine de 2500)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 50 A 100 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum50 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierVSONP
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 7.5V, 8.8V USON
  • 0,235 €
    l'unité (en bobine de 3000)
Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 7.5V, 8.8V USON
  • Type de directionBidirectionnel
  • Tension de pincement maximum8.8V
  • Tension de claquage7.5V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierUSON
Voir produits similaires Diodes TVS
MOSFET Texas Instruments canal N, A-220 273 A 80 V, 3 broches
  • 3,76 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Texas Instruments canal N, A-220 273 A 80 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum273 A
  • Tension Drain Source maximum80 V
  • Type de boîtierA-220
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Diode courant constant, LM334MX/NOPB, 1mA 0.8V SOIC, 8 broches
  • 0,359 €
    l'unité (en bobine de 2500)
Diode courant constant, LM334MX/NOPB, 1mA 0.8V SOIC, 8 broches
  • Courant de régulateur maximum1mA
  • Nombre d'éléments par circuit1
  • Tension de fonctionnement crête maximum40V
  • Tension de limite maximum0.8V
  • Type de boîtierSOIC
Voir produits similaires Diodes de régulation courant
MOSFET Texas Instruments canal P, WSON 20 A 20 V, 6 broches
  • 0,434 €
    l'unité (par multiple de 25)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Texas Instruments canal P, WSON 20 A 20 V, 6 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum20 A
  • Tension Drain Source maximum20 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierWSON
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Réseau de protection ESD Unidirectionnel, claq. 7V, 8V USON, 10 broches, dissip. 45W
  • 0,625 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Réseau de protection ESD Unidirectionnel, claq. 7V, 8V USON, 10 broches, dissip. 45W
  • Configuration de diodeRéseau
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Tension de pincement maximum8V
  • Tension de claquage7V
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Diodes TVS
Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 9.5V, 10.9V SOT-5X3
  • 0,32 €
    l'unité (par multiple de 25)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 9.5V, 10.9V SOT-5X3
  • Type de directionBidirectionnel
  • Tension de pincement maximum10.9V
  • Tension de claquage9.5V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSOT-5X3
Voir produits similaires Diodes TVS
MOSFET Texas Instruments canal N, VSON-CLIP 14 A 30 V
  • 0,588 €
    l'unité (en bobine de 250)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSON-CLIP 14 A 30 V
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum14 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • Type de boîtierVSON-CLIP
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 73 A 30 V, 8 broches
  • 0,301 €
    l'unité (en bobine de 2500)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 73 A 30 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum73 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierVSONP
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Transistor Darlington, NPN, 50 V, TSSOP, 16 broches
  • 0,501 €
    l'unité (par multiple de 25)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Transistor Darlington, NPN, 50 V, TSSOP, 16 broches
  • Type de transistorNPN
  • Tension Collecteur Emetteur maximum50 V
  • Type de boîtierTSSOP
  • Nombre de broches16
  • Nombre d'éléments par circuit1
Voir produits similaires Transistors Darlington
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 3 A 30 V, 8 broches
  • 0,485 €
    l'unité (en bobine de 2500)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 3 A 30 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum3 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierVSONP
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Texas Instruments canal N, VSON-CLIP 157 A 80 V, 8 broches
  • 2,68 €
    l'unité (par multiple de 2)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Texas Instruments canal N, VSON-CLIP 157 A 80 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum157 A
  • Tension Drain Source maximum80 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierVSON-CLIP
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Texas Instruments canal N, PICOSTAR 2,1 A 12 V
  • 0,38 €
    l'unité (en bobine de 250)
MOSFET Texas Instruments canal N, PICOSTAR 2,1 A 12 V
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum2,1 A
  • Tension Drain Source maximum12 V
  • Type de boîtierPICOSTAR
  • Type de montageCMS
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