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Détails du produit
MOSFET Texas Instruments canal P, VSONP 76 A 20 V, 8 broches
  • 0,403 €
    l'unité (en bobine de 2500)
MOSFET Texas Instruments canal P, VSONP 76 A 20 V, 8 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum76 A
  • Tension Drain Source maximum20 V
  • Type de boîtierVSONP
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Diode de protection ESD Unidirectionnel, claq. 5V, 8.9V X1SON
  • 0,285 €
    l'unité (par multiple de 25)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode de protection ESD Unidirectionnel, claq. 5V, 8.9V X1SON
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Tension de pincement maximum8.9V
  • Tension de claquage5V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierX1SON
Voir produits similaires Diodes TVS
Réseau de protection ESD, claq. 6V SON, 12 broches
  • 0,38 €
    l'unité (par multiple de 25)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Réseau de protection ESD, claq. 6V SON, 12 broches
  • Configuration de diodeRéseau
  • Tension de claquage6V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSON
  • Nombre de broches12
Voir produits similaires Diodes TVS
MOSFET Texas Instruments canal N, DDPAK/ TO-263 200 A 100 V
  • 1,585 €
    l'unité (en bobine de 50)
MOSFET Texas Instruments canal N, DDPAK/ TO-263 200 A 100 V
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum200 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierDDPAK/ TO-263
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Réseau de protection ESD Unidirectionnel, claq. 6.5V, 15V SOT-23, 6 broches, dissip. 45W
  • 0,093 €
    l'unité (en bobine de 3000)
Réseau de protection ESD Unidirectionnel, claq. 6.5V, 15V SOT-23, 6 broches, dissip. 45W
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Configuration de diodeEnsemble complexe
  • Tension de pincement maximum15V
  • Tension de claquage6.5V
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Diodes TVS
Réseau de protection ESD Unidirectionnel, claq. 6.5V, 15V SOT-23, 6 broches, dissip. 45W
  • 0,26 €
    l'unité (par multiple de 20)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Réseau de protection ESD Unidirectionnel, claq. 6.5V, 15V SOT-23, 6 broches, dissip. 45W
  • Configuration de diodeEnsemble complexe
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Tension de pincement maximum15V
  • Tension de claquage6.5V
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Diodes TVS
Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 6V, 14V X2SON
  • 0,058 €
    l'unité (en bobine de 15000)
Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 6V, 14V X2SON
  • Type de directionBidirectionnel
  • Tension de pincement maximum14V
  • Tension de claquage6V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierX2SON
Voir produits similaires Diodes TVS
Diode TVS Unidirectionnel, claq. 11V, 25V USON, 6 Pin broches, dissip. 100W
  • 0,661 €
    l'unité (en bobine de 250)
Diode TVS Unidirectionnel, claq. 11V, 25V USON, 6 Pin broches, dissip. 100W
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Configuration de diodeRéseau
  • Tension de pincement maximum25V
  • Tension de claquage11V
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Diodes TVS
Transistor Darlington, NPN, 50 V, SOIC, 16 broches
  • 0,333 €
    l'unité (par multiple de 25)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Transistor Darlington, NPN, 50 V, SOIC, 16 broches
  • Type de transistorNPN
  • Tension Collecteur Emetteur maximum50 V
  • Type de boîtierSOIC
  • Nombre de broches16
  • Nombre d'éléments par circuit7
Voir produits similaires Transistors Darlington
Diode de protection ESD Unidirectionnel, claq. 7.5V, 8.9V TPD1E04U04DPLT
  • 0,681 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode de protection ESD Unidirectionnel, claq. 7.5V, 8.9V TPD1E04U04DPLT
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Tension de pincement maximum8.9V
  • Tension de claquage7.5V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierTPD1E04U04DPLT
Voir produits similaires Diodes TVS
Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 6.7V, 19V X1SON
  • 0,524 €
    l'unité (en bobine de 250)
Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 6.7V, 19V X1SON
  • Type de directionBidirectionnel
  • Tension de pincement maximum19V
  • Tension de claquage6.7V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierX1SON
Voir produits similaires Diodes TVS
Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 6.7V, 19V X2SON
  • 0,466 €
    l'unité (en bobine de 250)
Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 6.7V, 19V X2SON
  • Type de directionBidirectionnel
  • Tension de pincement maximum19V
  • Tension de claquage6.7V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierX2SON
Voir produits similaires Diodes TVS
MOSFET Texas Instruments canal N, WSON 5 A 20 V
  • 0,885 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Texas Instruments canal N, WSON 5 A 20 V
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum5 A
  • Tension Drain Source maximum20 V
  • Type de boîtierWSON
  • Type de montageCMS
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Diode courant constant, REF200AU, 100μA 40V SOIC, 8 broches
  • 7,215 €
    l'unité (en tube de 75)
Diode courant constant, REF200AU, 100μA 40V SOIC, 8 broches
  • Configuration de diodeSimple
  • Nombre d'éléments par circuit3
  • Courant de régulateur maximum100µA
  • Tension de fonctionnement crête maximum40V
  • Impédance dynamique minimum500MΩ
Voir produits similaires Diodes de régulation courant
MOSFET Texas Instruments canal N, PICOSTAR 2,3 A 30 V
  • 0,398 €
    l'unité (en bobine de 250)
MOSFET Texas Instruments canal N, PICOSTAR 2,3 A 30 V
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum2,3 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • Type de boîtierPICOSTAR
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 14 A 100 V, 8 broches
  • 0,476 €
    l'unité (par multiple de 25)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 14 A 100 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum14 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierVSONP
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Texas Instruments canal N, DSBGA 3,5 A 12 V
  • 0,513 €
    l'unité (en bobine de 250)
MOSFET Texas Instruments canal N, DSBGA 3,5 A 12 V
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum3,5 A
  • Tension Drain Source maximum12 V
  • Type de boîtierDSBGA
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, SOIC, 16 broches
  • 0,162 €
    l'unité (en bobine de 2500)
Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, SOIC, 16 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum500 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum50 V
  • Type de boîtierSOIC
  • Nombre de broches16
Voir produits similaires Transistors Darlington
MOSFET Texas Instruments canal N, Picostar YSE 6 8 A 52 A
  • 0,956 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Texas Instruments canal N, Picostar YSE 6 8 A 52 A
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum8 A
  • Tension Drain Source maximum52 A
  • Type de boîtierPicostar YSE 6
  • Type de montageCMS
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MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 110 A 100 V, 8 broches
  • 0,992 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 110 A 100 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum110 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierVSONP
  • SérieNexFET
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