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Détails du produit
Diode de protection ESD Unidirectionnel, claq. 5V, 8.9V X1SON
  • 0,681 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode de protection ESD Unidirectionnel, claq. 5V, 8.9V X1SON
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Tension de pincement maximum8.9V
  • Tension de claquage5V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierX1SON
Voir produits similaires Diodes TVS
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 12 A 60 V, 8 broches
  • 0,588 €
    l'unité (en bobine de 2500)
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 12 A 60 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum12 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierVSONP
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Réseau de protection ESD Bidirectionnel, claq. 5.5V, 8.8V USON, 10 broches, dissip. 17W
  • 0,189 €
    l'unité (par multiple de 20)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Réseau de protection ESD Bidirectionnel, claq. 5.5V, 8.8V USON, 10 broches, dissip. 17W
  • Configuration de diodeQuad
  • Type de directionBidirectionnel
  • Tension de pincement maximum8.8V
  • Tension de claquage5.5V
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Diodes TVS
Diode de protection ESD Unidirectionnel, claq. 6.5V, 15V SC-70, 6 broches, dissip. 45W
  • 0,093 €
    l'unité (en bobine de 3000)
Diode de protection ESD Unidirectionnel, claq. 6.5V, 15V SC-70, 6 broches, dissip. 45W
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Tension de pincement maximum15V
  • Tension de claquage6.5V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSC-70
Voir produits similaires Diodes TVS
Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 6.4V, 15V X2SON
  • 0,534 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 6.4V, 15V X2SON
  • Type de directionBidirectionnel
  • Tension de pincement maximum15V
  • Tension de claquage6.4V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierX2SON
Voir produits similaires Diodes TVS
MOSFET Texas Instruments canal N, DDPAK/ TO-263 200 A 100 V
  • 2,18 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Texas Instruments canal N, DDPAK/ TO-263 200 A 100 V
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum200 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierDDPAK/ TO-263
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 50 A 100 V, 8 broches
  • 0,766 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 50 A 100 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum50 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierVSONP
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 7.5V, 8.8V USON
  • 0,537 €
    l'unité (par multiple de 25)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 7.5V, 8.8V USON
  • Type de directionBidirectionnel
  • Tension de pincement maximum8.8V
  • Tension de claquage7.5V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierUSON
Voir produits similaires Diodes TVS
Diode TVS Unidirectionnel, claq. 4.5V, 6.5V X1SON, 2 broches, dissip. 36W
  • 0,086 €
    l'unité (en bobine de 10000)
Diode TVS Unidirectionnel, claq. 4.5V, 6.5V X1SON, 2 broches, dissip. 36W
  • Configuration de diodeSimple
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Tension de pincement maximum6.5V
  • Tension de claquage4.5V
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Diodes TVS
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 100 A 100 V, 8 broches
  • 1,578 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 100 A 100 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum100 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierVSONP
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Texas Instruments canal N, PICOSTAR 2,9 A 12 V
  • 0,588 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Texas Instruments canal N, PICOSTAR 2,9 A 12 V
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum2,9 A
  • Tension Drain Source maximum12 V
  • Type de boîtierPICOSTAR
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Diode courant constant, LM334MX/NOPB, 1mA 0.8V SOIC, 8 broches
  • 0,635 €
    l'unité (par multiple de 25)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode courant constant, LM334MX/NOPB, 1mA 0.8V SOIC, 8 broches
  • Nombre d'éléments par circuit1
  • Courant de régulateur maximum1mA
  • Tension de fonctionnement crête maximum40V
  • Tension de limite maximum0.8V
  • Type de boîtierSOIC
Voir produits similaires Diodes de régulation courant
Réseau de protection ESD Bidirectionnel, claq. 5.5V, 8.8V USON, 10 broches, dissip. 17W
  • 0,197 €
    l'unité (en bobine de 3000)
Réseau de protection ESD Bidirectionnel, claq. 5.5V, 8.8V USON, 10 broches, dissip. 17W
  • Configuration de diodeQuad
  • Type de directionBidirectionnel
  • Tension de pincement maximum8.8V
  • Tension de claquage5.5V
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Diodes TVS
MOSFET Texas Instruments canal N, D²PAK 200 A 60 V, 3 broches
  • 3,956 €
    l'unité (en bobine de 50)
MOSFET Texas Instruments canal N, D²PAK 200 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum200 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierD²PAK
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Diode de protection ESD Unidirectionnel, claq. 7.5V, 8.9V TPD1E04U04DPLT
  • 0,51 €
    l'unité (en bobine de 250)
Diode de protection ESD Unidirectionnel, claq. 7.5V, 8.9V TPD1E04U04DPLT
  • Type de directionUnidirectionnel
  • Tension de pincement maximum8.9V
  • Tension de claquage7.5V
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierTPD1E04U04DPLT
Voir produits similaires Diodes TVS
MOSFET Texas Instruments canal N, VSON-CLIP 14 A 30 V
  • 0,738 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Texas Instruments canal N, VSON-CLIP 14 A 30 V
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum14 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • Type de boîtierVSON-CLIP
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Texas Instruments canal N, PICOSTAR 1,5 A 30 V
  • 0,491 €
    l'unité (en bobine de 250)
MOSFET Texas Instruments canal N, PICOSTAR 1,5 A 30 V
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum1,5 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • Type de boîtierPICOSTAR
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 3 A 30 V, 8 broches
  • 0,64 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 3 A 30 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum3 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • Type de boîtierVSONP
  • SérieNexFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Transistor Darlington, NPN, 50 V, TSSOP, 16 broches
  • 0,209 €
    l'unité (en bobine de 2000)
Transistor Darlington, NPN, 50 V, TSSOP, 16 broches
  • Type de transistorNPN
  • Tension Collecteur Emetteur maximum50 V
  • Type de boîtierTSSOP
  • Nombre de broches16
  • Nombre d'éléments par circuit1
Voir produits similaires Transistors Darlington
MOSFET Texas Instruments canal P, VSON-CLIP 104 A 20 V, 8 broches
  • 0,579 €
    l'unité (en bobine de 250)
MOSFET Texas Instruments canal P, VSON-CLIP 104 A 20 V, 8 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum104 A
  • Tension Drain Source maximum20 V
  • SérieNexFET
  • Type de boîtierVSON-CLIP
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