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Détails du produit
MOSFET Toshiba canal N, DFN8x8 30 A 650 V, 5 broches
  • 2,396 €
    l'unité (en bobine de 2500)
MOSFET Toshiba canal N, DFN8x8 30 A 650 V, 5 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum30 A
  • Tension Drain Source maximum650 V
  • SérieTK099V65Z
  • Type de boîtierDFN8x8
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  • 0,244 €
    l'unité (par multiple de 5)
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  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSOT-346 (SC-59)
  • Courant direct continu maximum100mA
  • Tension inverse de crête répétitive45V
  • Configuration de diodeCathode commune
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  • 0,135 €
    l'unité (par multiple de 10)
Diode de protection ESD USM, 3 broches
  • Configuration de diodeAnode commune
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierUSM
  • Nombre de broches3
  • Nombre d'éléments par circuit2
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MOSFET Toshiba canal N, DFN8x8 30 A 650 V, 5 broches
  • 2,405 €
    l'unité (par multiple de 2)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, DFN8x8 30 A 650 V, 5 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum30 A
  • Tension Drain Source maximum650 V
  • SérieTK099V65Z
  • Type de boîtierDFN8x8
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MOSFET Toshiba canal P, SOT-23 6 A 12 V, 3 broches
  • 0,069 €
    l'unité (en bobine de 3000)
MOSFET Toshiba canal P, SOT-23 6 A 12 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum6 A
  • Tension Drain Source maximum12 V
  • Type de boîtierSOT-23
  • Type de montageCMS
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Diode CMS Toshiba, 100mA, 45V, SOT-346 (SC-59)
  • 0,244 €
    l'unité (par multiple de 5)
Diode CMS Toshiba, 100mA, 45V, SOT-346 (SC-59)
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSOT-346 (SC-59)
  • Courant direct continu maximum100mA
  • Tension inverse de crête répétitive45V
  • Configuration de diodeSérie
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Diode de protection ESD USM, 3 broches
  • 0,135 €
    l'unité (par multiple de 10)
Diode de protection ESD USM, 3 broches
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierUSM
  • Nombre de broches3
  • Température de fonctionnement minimum-55 °C
  • Dimensions2 x 1.25 x 0.9mm
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  • 0,012 €
    l'unité (en bobine de 3000)
Transistor, NPN, 200 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum200 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum50 V
  • Type de boîtierSOT-23
  • Type de montageCMS
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MOSFET Toshiba canal N, SOP avancé 59 A 100 V, 8 broches
  • 0,847 €
    l'unité (en bobine de 5000)
MOSFET Toshiba canal N, SOP avancé 59 A 100 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum59 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierSOP avancé
  • SérieTPH
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MOSFET Toshiba canal N, A-220 43 A 60 V, 3 broches
  • 0,926 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, A-220 43 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum43 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierA-220
  • SérieTK
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MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 72 A 120 V, 3 broches
  • 1,774 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 72 A 120 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum72 A
  • Tension Drain Source maximum120 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
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MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 15,8 A 600 V, 3 broches
  • 1,546 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 15,8 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum15,8 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
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MOSFET Toshiba canal N, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches
  • 0,04 €
    l'unité (en bobine de 3000)
MOSFET Toshiba canal N, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum300 mA
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierSOT-363
  • Type de montageCMS
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Diode de commutation, SOT-346 (SC-59), 3 broches Dual, Série
  • 0,192 €
    l'unité (par multiple de 5)
Diode de commutation, SOT-346 (SC-59), 3 broches Dual, Série
  • Configuration de diodeSérie
  • Nombre d'éléments par circuit2
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSOT-346 (SC-59)
  • Technologie de diodeJonction au silicium
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MOSFET Toshiba canal N, DPAK (TO-252) 5,8 A 650 V, 3 broches
  • 0,605 €
    l'unité (par multiple de 10)
MOSFET Toshiba canal N, DPAK (TO-252) 5,8 A 650 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum5,8 A
  • Tension Drain Source maximum650 V
  • SérieDTMOSIV
  • Type de boîtierDPAK (TO-252)
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MOSFET Toshiba canal P, SOT-23 6 A 12 V, 3 broches
  • 0,069 €
    l'unité (par multiple de 50)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal P, SOT-23 6 A 12 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum6 A
  • Tension Drain Source maximum12 V
  • Type de boîtierSOT-23
  • Type de montageCMS
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Diode de protection ESD USM, 3 broches
  • 0,168 €
    l'unité (par multiple de 10)
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  • Configuration de diodeAnode commune
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierUSM
  • Nombre de broches3
  • Nombre d'éléments par circuit2
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  • 0,069 €
    l'unité (en bobine de 3000)
Diode CMS Toshiba, 1.5A, 30V, S-FLAT
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierS-FLAT
  • Courant direct continu maximum1.5A
  • Tension inverse de crête répétitive30V
  • Configuration de diodeSimple
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MOSFET Toshiba canal N, SOT-23 3,5 A 100 V, 3 broches
  • 0,371 €
    l'unité (par multiple de 25)
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MOSFET Toshiba canal N, SOT-23 3,5 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum3,5 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierSOT-23
  • Type de montageCMS
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  • 0,299 €
    l'unité (en bobine de 2000)
MOSFET Toshiba canal N, DPAK (TO-252) 8 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum8 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierDPAK (TO-252)
  • Type de montageCMS
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