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Description
Détails du produit
MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 18 A 200 V, 3 broches
  • 0,95 €la pièce
MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 18 A 200 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum18 A
  • Tension Drain Source maximum200 V
  • SérieHEXFET
  • Type de boîtierTO-220AB
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MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 18 A 200 V, 3 broches
  • 0,789 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 18 A 200 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum18 A
  • Tension Drain Source maximum200 V
  • SérieHEXFET
  • Type de boîtierTO-220AB
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Contrôleur PWM, ICE3BR0665JXKLA1, 65 kHz, 27 V, DIP 8 broches
  • 3,37 €
    l'unité (par multiple de 2)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Contrôleur PWM, ICE3BR0665JXKLA1, 65 kHz, 27 V, DIP 8 broches
  • Fréquence de découpage maximum65 kHz
  • Tension de sortie650 V
  • Courant de sortie9.95 A
  • Méthode de contrôleCourant
  • Nombre de sorties1
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Contrôleur PWM, ICE3BR0665JXKLA1, 65 kHz, 27 V, DIP 8 broches
  • 2,761 €
    l'unité (en tube de 50)
Contrôleur PWM, ICE3BR0665JXKLA1, 65 kHz, 27 V, DIP 8 broches
  • Fréquence de découpage maximum65 kHz
  • Tension de sortie650 V
  • Courant de sortie9,95 A
  • Méthode de contrôleCourant
  • Nombre de sorties1
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MOSFET Infineon canal P, SOT-23 170 mA 60 V, 3 broches
  • 0,035 €
    l'unité (par multiple de 250)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Infineon canal P, SOT-23 170 mA 60 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum170 mA
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierSOT-23
  • SérieSIPMOS
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MOSFET Infineon canal P, SOT-23 170 mA 60 V, 3 broches
  • 0,051 €
    l'unité (en bobine de 3000)
MOSFET Infineon canal P, SOT-23 170 mA 60 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum170 mA
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • SérieSIPMOS
  • Type de boîtierSOT-23
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MOSFET Infineon canal N, TO-247AC 30 A 200 V, 3 broches
  • 2,274 €
    l'unité (en tube de 25)
MOSFET Infineon canal N, TO-247AC 30 A 200 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum30 A
  • Tension Drain Source maximum200 V
  • Type de boîtierTO-247AC
  • SérieHEXFET
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MOSFET Infineon canal N, TO-247AC 30 A 200 V, 3 broches
  • 2,53 €la pièce
MOSFET Infineon canal N, TO-247AC 30 A 200 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum30 A
  • Tension Drain Source maximum200 V
  • SérieHEXFET
  • Type de boîtierTO-247AC
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MOSFET Infineon canal P, DPAK (TO-252) 31 A 55 V, 3 broches
  • 0,984 €
    l'unité (par multiple de 20)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Infineon canal P, DPAK (TO-252) 31 A 55 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum31 A
  • Tension Drain Source maximum55 V
  • Type de boîtierDPAK (TO-252)
  • SérieHEXFET
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MOSFET Infineon canal P, DPAK (TO-252) 31 A 55 V, 3 broches
  • 0,501 €
    l'unité (en bobine de 2000)
MOSFET Infineon canal P, DPAK (TO-252) 31 A 55 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum31 A
  • Tension Drain Source maximum55 V
  • SérieHEXFET
  • Type de boîtierDPAK (TO-252)
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MOSFET Infineon canal N, SOT-23 1,2 A 30 V, 3 broches
  • 0,10 €
    l'unité (en bobine de 3000)
MOSFET Infineon canal N, SOT-23 1,2 A 30 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum1,2 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • SérieHEXFET
  • Type de boîtierSOT-23
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MOSFET Infineon canal N, SOT-23 1,2 A 30 V, 3 broches
  • 0,38 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Infineon canal N, SOT-23 1,2 A 30 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum1,2 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • Type de boîtierSOT-23
  • SérieHEXFET
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MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 104 A 55 V, 3 broches
  • 2,17 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 104 A 55 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum104 A
  • Tension Drain Source maximum55 V
  • Type de boîtierTO-220AB
  • SérieLogicFET
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MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 104 A 55 V, 3 broches
  • 1,659 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 104 A 55 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum104 A
  • Tension Drain Source maximum55 V
  • Type de boîtierTO-220AB
  • SérieLogicFET
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MOSFET Infineon canal P, TO-220AB 23 A 100 V, 3 broches
  • 1,29 €la pièce
MOSFET Infineon canal P, TO-220AB 23 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum23 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieHEXFET
  • Type de boîtierTO-220AB
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MOSFET Infineon canal P, TO-220AB 23 A 100 V, 3 broches
  • 1,037 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Infineon canal P, TO-220AB 23 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum23 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierTO-220AB
  • SérieHEXFET
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MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 36 A 100 V, 3 broches
  • 2,355 €
    l'unité (par multiple de 2)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 36 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum36 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierTO-220AB
  • SérieHEXFET
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MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 36 A 100 V, 3 broches
  • 1,914 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 36 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum36 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieHEXFET
  • Type de boîtierTO-220AB
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MOSFET Infineon canal P, TO-220AB 40 A 100 V, 3 broches
  • 1,636 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Infineon canal P, TO-220AB 40 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum40 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierTO-220AB
  • SérieHEXFET
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MOSFET Infineon canal P, TO-220AB 40 A 100 V, 3 broches
  • 2,02 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Infineon canal P, TO-220AB 40 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum40 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieHEXFET
  • Type de boîtierTO-220AB
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