Toshiba

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Description
Détails du produit
IGBT, GT30J121, , 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple
  • 3,60 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
IGBT, GT30J121, , 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum30 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±20V
  • Dissipation de puissance maximum170 W
  • Type de boîtierTO-3P
Voir produits similaires IGBT
IGBT, GT15J341, , 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple
  • 1,545 €
    l'unité (en tube de 50)
IGBT, GT15J341, , 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±25V
  • Dissipation de puissance maximum30 W
  • Type de boîtierTO-220SIS
Voir produits similaires IGBT
Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3PL, 3 broches
  • 3,20 €la pièce
Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3PL, 3 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum200 V
  • Type de boîtierTO-3PL
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Transistors bipolaires
MOSFET Toshiba canal N, A-247 20 A 600 V, 3 broches
  • 4,29 €
    l'unité (par multiple de 2)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, A-247 20 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum20 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierA-247
Voir produits similaires Transistors MOSFET
IGBT, GT30J121, , 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple
  • 2,889 €
    l'unité (en tube de 50)
IGBT, GT30J121, , 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum30 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±20V
  • Dissipation de puissance maximum170 W
  • Type de boîtierTO-3P
Voir produits similaires IGBT
IGBT, GT15J341, , 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple
  • 1,894 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
IGBT, GT15J341, , 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±25V
  • Dissipation de puissance maximum30 W
  • Type de boîtierTO-220SIS
Voir produits similaires IGBT
Diode de commutation, SMini, 3 broches Dual, Série
  • 0,076 €
    l'unité (par multiple de 5)
Diode de commutation, SMini, 3 broches Dual, Série
  • Configuration de diodeSérie
  • Nombre d'éléments par circuit2
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSMini
  • Technologie de diodeJonction au silicium
Voir produits similaires Diodes de commutation
MOSFET Toshiba canal N, PW moulé 2 5 A 60 V, 3 broches
  • 0,303 €
    l'unité (par multiple de 20)
MOSFET Toshiba canal N, PW moulé 2 5 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum5 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierPW moulé 2
  • Série2SK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 10 A 800 V, 3 broches
  • 1,108 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 10 A 800 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum10 A
  • Tension Drain Source maximum800 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierTO-220SIS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Porte logique Traversant Toshiba AND Quadruple PDIP, 14 broches
  • 0,464 €
    l'unité (par multiple de 5)
Porte logique Traversant Toshiba AND Quadruple PDIP, 14 broches
  • Fonction logiqueAND
  • Type de montageTraversant
  • Nombre d'éléments4
  • Nombre d'entrées par porte2
  • Entrée de trigger de SchmittNon
Voir produits similaires Portes logiques
Diode CMS Toshiba, 100mA, 85V, SOD-523
  • 0,076 €
    l'unité (par multiple de 10)
Diode CMS Toshiba, 100mA, 85V, SOD-523
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSOD-523
  • Courant direct continu maximum100mA
  • Tension inverse de crête répétitive85V
  • Configuration de diodeSimple
Voir produits similaires Diodes Schottky et de redressements
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 20 A 600 V, 3 broches
  • 1,782 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 20 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum20 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Diode CMS Toshiba, 2A, 30V, M-FLAT
  • 0,059 €
    l'unité (par multiple de 25)
Diode CMS Toshiba, 2A, 30V, M-FLAT
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierM-FLAT
  • Courant direct continu maximum2A
  • Tension inverse de crête répétitive30V
  • Configuration de diodeSimple
Voir produits similaires Diodes Schottky et de redressements
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 20 A 600 V, 3 broches
  • 2,54 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 20 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum20 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 20 A 600 V, 3 broches
  • 3,753 €
    l'unité (par multiple de 3)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 20 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum20 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
HC, Buffer, Convertisseur, 6 bits Sans inversion PDIP 16 broches
  • 0,872 €
    l'unité (par multiple de 5)
HC, Buffer, Convertisseur, 6 bits Sans inversion PDIP 16 broches
  • Famille logiqueHC
  • Fonction logiqueBuffer, Convertisseur
  • InterfaceCI pour mémoire tampon et circuit de commande de ligne
  • Nombre de canaux par circuit6
  • Type d'entréeAsymétrique
Voir produits similaires CI d'interface de ligne
Diode, SOT-346 (SC-59), 3 broches
  • 0,022 €
    l'unité (en bobine de 3000)
Diode, SOT-346 (SC-59), 3 broches
  • Configuration de diodeSimple
  • Nombre d'éléments par circuit1
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSOT-346 (SC-59)
  • Technologie de diodeJonction au silicium
Voir produits similaires Diodes de commutation
Transistor, PNP Simple, -15 A, -230 V, TO-3PL, 3 broches
  • 0,944 €
    l'unité (par multiple de 5)
Transistor, PNP Simple, -15 A, -230 V, TO-3PL, 3 broches
  • Type de transistorPNP
  • Courant continu de Collecteur maximum-15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum-230 V
  • Type de boîtierTO-3PL
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Transistors bipolaires
MOSFET Toshiba canal N, A-220 55 A 80 V, 3 broches
  • 1,002 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, A-220 55 A 80 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum55 A
  • Tension Drain Source maximum80 V
  • Type de boîtierA-220
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Toshiba canal N, A-247 39 A 600 V, 3 broches
  • 5,18 €la pièce
MOSFET Toshiba canal N, A-247 39 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum39 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierA-247
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