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Détails du produit
MOSFET Toshiba canal N, A-220 31 A 600 V, 3 broches
  • 5,545 €
    l'unité (par multiple de 2)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, A-220 31 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum31 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • Type de boîtierA-220
  • SérieTK
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MOSFET Toshiba canal N, SOP avancé 20 A 40 V, 8 broches
  • 1,03 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, SOP avancé 20 A 40 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum20 A
  • Tension Drain Source maximum40 V
  • SérieTPC
  • Type de boîtierSOP avancé
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MOSFET Toshiba canal N, A-220 90 A 100 V, 3 broches
  • 1,496 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, A-220 90 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum90 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierA-220
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MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 15,8 A 600 V, 3 broches
  • 1,648 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 15,8 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum15,8 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
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MOSFET Toshiba canal N, A-220 31 A 600 V, 3 broches
  • 2,96 €
    l'unité (par multiple de 2)
MOSFET Toshiba canal N, A-220 31 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum31 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierA-220
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MOSFET Toshiba canal N, A-220 90 A 100 V, 3 broches
  • 0,887 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, A-220 90 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum90 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierA-220
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Diode de commutation, SOT-346 (SC-59), 3 broches
  • 0,024 €
    l'unité (par multiple de 5)
Diode de commutation, SOT-346 (SC-59), 3 broches
  • Configuration de diodeSimple
  • Nombre d'éléments par circuit1
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSOT-346 (SC-59)
  • Technologie de diodeJonction au silicium
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MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 15,8 A 600 V, 3 broches
  • 3,06 €la pièce
MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 15,8 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum15,8 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • Type de boîtierTO-3PN
  • SérieTK
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  • 1,777 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, A-220 214 A 80 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum214 A
  • Tension Drain Source maximum80 V
  • Type de boîtierA-220
  • SérieTK
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MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 100 A 60 V, 3 broches
  • 1,693 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 100 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum100 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
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JFET, 2SK208-R(TE85L,F), Canal-N, 10 V Simple SOT-346 (SC-59), 3 broches Simple
  • 0,302 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
JFET, 2SK208-R(TE85L,F), Canal-N, 10 V Simple SOT-346 (SC-59), 3 broches Simple
  • Type de canalN
  • Idss Drain-source Courant de coupure0.3 to 0.75mA
  • Tension Drain Source maximum10 V
  • Tension Grille Source maximum-30 V
  • Tension Drain Grille maximum-50V
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MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 20 A 600 V, 3 broches
  • 1,916 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 20 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum20 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
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Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, USM, 3 broches
  • 0,109 €
    l'unité (par multiple de 10)
Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, USM, 3 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum150 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum50 V
  • Type de boîtierUSM
  • Type de montageCMS
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MOSFET Toshiba canal N, UFM 2.2 A 30 V, 3 broches
  • 0,138 €
    l'unité (par multiple de 10)
MOSFET Toshiba canal N, UFM 2.2 A 30 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum2.2 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • Type de boîtierUFM
  • SérieSSM3
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MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 15,8 A 600 V, 3 broches
  • 2,237 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 15,8 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum15,8 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
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MOSFET Toshiba canal N, A-220 214 A 80 V, 3 broches
  • 3,05 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, A-220 214 A 80 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum214 A
  • Tension Drain Source maximum80 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierA-220
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MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 9,7 A 600 V, 3 broches
  • 1,07 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 9,7 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum9,7 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • SérieDTMOSIV
  • Type de boîtierTO-220SIS
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MOSFET Toshiba canal N, DPAK (TO-252) 8 A 600 V, 3 broches
  • 0,357 €
    l'unité (par multiple de 10)
MOSFET Toshiba canal N, DPAK (TO-252) 8 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum8 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • Type de boîtierDPAK (TO-252)
  • SérieDTMOSIV
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MOSFET Toshiba canal N, DPAK (TO-252) 7,5 A 250 V, 3 broches
  • 0,277 €
    l'unité (par multiple de 25)
MOSFET Toshiba canal N, DPAK (TO-252) 7,5 A 250 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum7,5 A
  • Tension Drain Source maximum250 V
  • Type de boîtierDPAK (TO-252)
  • Type de montageCMS
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MOSFET Toshiba canal N, DPAK (TO-252) 60 A 60 V, 3 broches
  • 0,506 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, DPAK (TO-252) 60 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum60 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierDPAK (TO-252)
  • Type de montageCMS
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