Toshiba

Composants discrets

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Description
Détails du produit
  • 2,54 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 20 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum20 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,046 €
    l'unité (en bobine de 3000)
Diode, SOT-346 (SC-59), 3 broches
  • Configuration de diodeSimple
  • Nombre d'éléments par circuit1
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSOT-346 (SC-59)
  • Technologie de diodeJonction au silicium
Voir produits similaires Diodes de commutation
  • 1,742 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 20 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum20 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,515 €
    l'unité (par multiple de 10)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 60 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum60 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,908 €
    l'unité (par multiple de 5)
Transistor, PNP Simple, -15 A, -230 V, TO-3PL, 3 broches
  • Type de transistorPNP
  • Courant continu de Collecteur maximum-15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum-230 V
  • Type de boîtierTO-3PL
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Transistors bipolaires
  • 0,392 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Toshiba canal N, A-220 55 A 80 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum55 A
  • Tension Drain Source maximum80 V
  • Type de boîtierA-220
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,13 €
    l'unité (par multiple de 5)
Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, ESM, 3 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum100 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum50 V
  • Type de boîtierESM
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors bipolaires
  • 0,024 €
    l'unité (par multiple de 5)
Transistor numérique, PNP Simple, -100 mA, -50 V, ESM, 3 broches
  • Type de transistorPNP
  • Courant continu de Collecteur maximum-100 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum-50 V
  • Type de boîtierESM
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors bipolaires
  • 5,18 €la pièce
MOSFET Toshiba canal N, A-247 39 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum39 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierA-247
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,38 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, A-220 55 A 80 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum55 A
  • Tension Drain Source maximum80 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierA-220
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,098 €
    l'unité (par multiple de 25)
Diode CMS Toshiba, 300mA, 85V, SOT-346 (SC-59)
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSOT-346 (SC-59)
  • Courant direct continu maximum300mA
  • Tension inverse de crête répétitive85V
  • Configuration de diodeCathode commune
Voir produits similaires Diodes Schottky et de redressements
  • 3,05 €la pièce
MOSFET Toshiba canal N, A-220 214 A 80 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum214 A
  • Tension Drain Source maximum80 V
  • Type de boîtierA-220
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 1,693 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 100 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum100 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierTO-220SIS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 1,916 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 20 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum20 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierTO-220SIS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,127 €
    l'unité (par multiple de 10)
JFET, 2SK208-R(TE85L,F), Canal-N, 10 V Simple SOT-346 (SC-59), 3 broches Simple
  • Type de canalN
  • Idss Drain-source Courant de coupure0.3 to 0.75mA
  • Tension Drain Source maximum10 V
  • Tension Grille Source maximum-30 V
  • Tension Drain Grille maximum-50V
Voir produits similaires JFET
  • 0,887 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, A-220 90 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum90 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierA-220
  • SérieTK
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  • 0,058 €
    l'unité (par multiple de 10)
Diode CMS Toshiba, 300mA, 45V, SOT-323 (SC-70)
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSOT-323 (SC-70)
  • Courant direct continu maximum300mA
  • Tension inverse de crête répétitive45V
  • Configuration de diodeSimple
Voir produits similaires Diodes Schottky et de redressements
  • 3,346 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, A-220 31 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum31 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • Type de boîtierA-220
  • SérieTK
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  • 0,218 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Toshiba canal P, SOP 10 A 30 V, 8 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum10 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • Type de boîtierSOP
  • SérieTPC
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  • 2,237 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 15,8 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum15,8 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
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