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Description
Détails du produit
Diode CMS Toshiba, 1A, 30V, S-FLAT
  • 0,261 €
    l'unité (par multiple de 50)
Diode CMS Toshiba, 1A, 30V, S-FLAT
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierS-FLAT
  • Courant direct continu maximum1A
  • Tension inverse de crête répétitive30V
  • Configuration de diodeSimple
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MOSFET Toshiba canal N, A-220 90 A 100 V, 3 broches
  • 0,887 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, A-220 90 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum90 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierA-220
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Toshiba canal N, A-220 90 A 100 V, 3 broches
  • 1,332 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, A-220 90 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum90 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierA-220
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Toshiba canal N, A-220 31 A 600 V, 3 broches
  • 4,96 €
    l'unité (par multiple de 2)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, A-220 31 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum31 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierA-220
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Toshiba canal N, A-220 31 A 600 V, 3 broches
  • 3,346 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, A-220 31 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum31 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • Type de boîtierA-220
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Toshiba canal N, SOP avancé 20 A 40 V, 8 broches
  • 0,615 €
    l'unité (en bobine de 5000)
MOSFET Toshiba canal N, SOP avancé 20 A 40 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum20 A
  • Tension Drain Source maximum40 V
  • Type de boîtierSOP avancé
  • SérieTPC
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MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 100 A 60 V, 3 broches
  • 1,693 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 100 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum100 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
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JFET, 2SK208-R(TE85L,F), Canal-N, 10 V Simple SOT-346 (SC-59), 3 broches Simple
  • 0,13 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
JFET, 2SK208-R(TE85L,F), Canal-N, 10 V Simple SOT-346 (SC-59), 3 broches Simple
  • Type de canalN
  • Idss Drain-source Courant de coupure0.3 to 0.75mA
  • Tension Drain Source maximum10 V
  • Tension Grille Source maximum-30 V
  • Tension Drain Grille maximum-50V
Voir produits similaires JFET
MOSFET Toshiba canal N, UFM 2.2 A 30 V, 3 broches
  • 0,142 €
    l'unité (par multiple de 10)
MOSFET Toshiba canal N, UFM 2.2 A 30 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum2.2 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • SérieSSM3
  • Type de boîtierUFM
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Diode CMS Toshiba, 300mA, 85V, SOT-346 (SC-59)
  • 0,077 €
    l'unité (par multiple de 25)
Diode CMS Toshiba, 300mA, 85V, SOT-346 (SC-59)
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSOT-346 (SC-59)
  • Courant direct continu maximum300mA
  • Tension inverse de crête répétitive85V
  • Configuration de diodeCathode commune
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Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3P, 3 broches
  • 2,05 €
    l'unité (par multiple de 5)
Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3P, 3 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum230 V
  • Type de boîtierTO-3P
  • Type de montageTraversant
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MOSFET Toshiba canal N, SOP avancé 20 A 40 V, 8 broches
  • 0,366 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, SOP avancé 20 A 40 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum20 A
  • Tension Drain Source maximum40 V
  • Type de boîtierSOP avancé
  • SérieTPC
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MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 15,8 A 600 V, 3 broches
  • 2,237 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 15,8 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum15,8 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
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Diode CMS Toshiba, 300mA, 45V, SOT-323 (SC-70)
  • 0,059 €
    l'unité (par multiple de 10)
Diode CMS Toshiba, 300mA, 45V, SOT-323 (SC-70)
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSOT-323 (SC-70)
  • Courant direct continu maximum300mA
  • Tension inverse de crête répétitive45V
  • Configuration de diodeSimple
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MOSFET Toshiba canal N, A-220 214 A 80 V, 3 broches
  • 1,777 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, A-220 214 A 80 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum214 A
  • Tension Drain Source maximum80 V
  • Type de boîtierA-220
  • SérieTK
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MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 263 A 60 V, 3 broches
  • 1,682 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 263 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum263 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierTO-220SIS
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MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 100 A 60 V, 3 broches
  • 2,505 €
    l'unité (par multiple de 4)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 100 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum100 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
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MOSFET Toshiba canal N, A-220 60 A 60 V, 3 broches
  • 0,625 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, A-220 60 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum60 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierA-220
  • SérieTK
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MOSFET Toshiba canal N, A-220 105 A 60 V, 3 broches
  • 0,827 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, A-220 105 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum105 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierA-220
  • SérieTK
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MOSFET Toshiba canal N, SOT-563 180 mA 20 V, 6 broches
  • 0,119 €
    l'unité (par multiple de 50)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, SOT-563 180 mA 20 V, 6 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum180 mA
  • Tension Drain Source maximum20 V
  • Type de boîtierSOT-563
  • Type de montageCMS
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