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Description
Détails du produit
Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches
  • 0,219 €
    l'unité (par multiple de 10)
Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum300 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum20 V
  • Type de boîtierSOT-346 (SC-59)
  • Type de montageCMS
Voir produits similaires Transistors bipolaires
MOSFET Toshiba canal N, SC-62 1 A 30 V, 3 broches
  • 3,69 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, SC-62 1 A 30 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum1 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • Série2SK
  • Type de boîtierSC-62
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 58 A 60 V, 3 broches
  • 0,712 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 58 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum58 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 58 A 60 V, 3 broches
  • 1,30 €
    l'unité (par multiple de 6)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 58 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum58 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
IGBT, GT50JR22, , 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple
  • 4,143 €
    l'unité (en tube de 25)
IGBT, GT50JR22, , 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum50 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±25V
  • Dissipation de puissance maximum230 W
  • Type de boîtierTO-3P
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IGBT, GT50JR22, , 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple
  • 5,99 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
IGBT, GT50JR22, , 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum50 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±25V
  • Dissipation de puissance maximum230 W
  • Type de boîtierTO-3P
Voir produits similaires IGBT
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 58 A 60 V, 3 broches
  • 0,798 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 58 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum58 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierTO-220SIS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
IGBT, GT30J121, , 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple
  • 4,22 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
IGBT, GT30J121, , 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum30 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±20V
  • Dissipation de puissance maximum170 W
  • Type de boîtierTO-3P
Voir produits similaires IGBT
IGBT, GT15J341, , 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple
  • 2,216 €
    l'unité (par multiple de 5)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
IGBT, GT15J341, , 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±25V
  • Dissipation de puissance maximum30 W
  • Type de boîtierTO-220SIS
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IGBT, GT30J121, , 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple
  • 2,889 €
    l'unité (en tube de 50)
IGBT, GT30J121, , 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum30 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±20V
  • Dissipation de puissance maximum170 W
  • Type de boîtierTO-3P
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Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3PL, 3 broches
  • 3,61 €la pièce
Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3PL, 3 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum200 V
  • Type de boîtierTO-3PL
  • Type de montageTraversant
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IGBT, GT15J341, , 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple
  • 1,545 €
    l'unité (en tube de 50)
IGBT, GT15J341, , 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±25V
  • Dissipation de puissance maximum30 W
  • Type de boîtierTO-220SIS
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MOSFET Toshiba canal N, A-247 20 A 600 V, 3 broches
  • 2,862 €
    l'unité (en tube de 30)
MOSFET Toshiba canal N, A-247 20 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum20 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • Type de boîtierA-247
  • SérieTK
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MOSFET Toshiba canal N, A-247 20 A 600 V, 3 broches
  • 4,81 €
    l'unité (par multiple de 2)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, A-247 20 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum20 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierA-247
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 10 A 800 V, 3 broches
  • 1,108 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 10 A 800 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum10 A
  • Tension Drain Source maximum800 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 20 A 600 V, 3 broches
  • 3,753 €
    l'unité (par multiple de 3)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 20 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum20 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierTO-220SIS
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Diode CMS Toshiba, 100mA, 85V, SOD-523
  • 0,097 €
    l'unité (par multiple de 10)
Diode CMS Toshiba, 100mA, 85V, SOD-523
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSOD-523
  • Courant direct continu maximum100mA
  • Tension inverse de crête répétitive85V
  • Configuration de diodeSimple
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Diode de commutation, SMini, 3 broches Dual, Série
  • 0,076 €
    l'unité (par multiple de 5)
Diode de commutation, SMini, 3 broches Dual, Série
  • Configuration de diodeSérie
  • Nombre d'éléments par circuit2
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSMini
  • Technologie de diodeJonction au silicium
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Diode CMS Toshiba, 2A, 30V, M-FLAT
  • 0,058 €
    l'unité (par multiple de 25)
Diode CMS Toshiba, 2A, 30V, M-FLAT
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierM-FLAT
  • Courant direct continu maximum2A
  • Tension inverse de crête répétitive30V
  • Configuration de diodeSimple
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MOSFET Toshiba canal N, PW moulé 2 5 A 60 V, 3 broches
  • 0,088 €
    l'unité (par multiple de 20)
MOSFET Toshiba canal N, PW moulé 2 5 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum5 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Série2SK
  • Type de boîtierPW moulé 2
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