Toshiba

Semi-conducteurs

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Description
Détails du produit
MOSFET Toshiba canal N, A-220 207 A 100 V, 3 broches
  • 3,05 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, A-220 207 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum207 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierA-220
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Sextuple canaux Buffer, Convertisseur, TC4049BP(F), Inversion 16 broches PDIP
  • 0,332 €
    l'unité (par multiple de 10)
Sextuple canaux Buffer, Convertisseur, TC4049BP(F), Inversion 16 broches PDIP
  • Famille logique4000
  • Fonction logiqueBuffer, Convertisseur
  • Nombre de canaux6
  • Type d'entréeAsymétrique
  • PolaritéInversion
Voir produits similaires Mémoires tampons
MOSFET Toshiba canal N, A-220 207 A 100 V, 3 broches
  • 1,754 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, A-220 207 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum207 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierA-220
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Sextuple Inverseur CMOS TC74HC04AP(F), PDIP 14 broches HC
  • 0,40 €
    l'unité (par multiple de 5)
Sextuple Inverseur CMOS TC74HC04AP(F), PDIP 14 broches HC
  • Fonction logiqueInverseur
  • Nombre d'éléments par circuit6
  • Entrée de trigger de SchmittNon
  • Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum13 ns @ 6 V, 15 ns @ 4.5 V, 75 ns @ 2 V
  • Courant de sortie niveau haut maximum-5.2mA
Voir produits similaires Inverseurs
MOSFET Toshiba canal N, SC-67 3 A 900 V, 3 broches
  • 1,148 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Toshiba canal N, SC-67 3 A 900 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum3 A
  • Tension Drain Source maximum900 V
  • Série2SK
  • Type de boîtierSC-67
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IGBT, GT20J341, , 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple
  • 2,63 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
IGBT, GT20J341, , 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum20 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±25V
  • Dissipation de puissance maximum45 W
  • Type de boîtierTO-220SIS
Voir produits similaires IGBT
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 30 A 60 V, 3 broches
  • 0,815 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 30 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum30 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
IGBT, GT20J341, , 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple
  • 1,769 €
    l'unité (en tube de 50)
IGBT, GT20J341, , 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum20 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±25V
  • Dissipation de puissance maximum45 W
  • Type de boîtierTO-220SIS
Voir produits similaires IGBT
IGBT, GT50JR22, , 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple
  • 5,99 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
IGBT, GT50JR22, , 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum50 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±25V
  • Dissipation de puissance maximum230 W
  • Type de boîtierTO-3P
Voir produits similaires IGBT
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 58 A 60 V, 3 broches
  • 0,798 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 58 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum58 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 58 A 60 V, 3 broches
  • 1,30 €
    l'unité (par multiple de 6)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 58 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum58 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierTO-220SIS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches
  • 0,219 €
    l'unité (par multiple de 10)
Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum300 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum20 V
  • Type de boîtierSOT-346 (SC-59)
  • Type de montageCMS
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Porte logique CMS Toshiba AND double SSOP, 8 broches
  • 0,242 €
    l'unité (par multiple de 5)
Porte logique CMS Toshiba AND double SSOP, 8 broches
  • Fonction logiqueAND
  • Type de montageCMS
  • Nombre d'éléments2
  • Nombre d'entrées par porte2
  • Entrée de trigger de SchmittNon
Voir produits similaires Portes logiques
Multivibrateur monostable TC74HC123AP(F), 5.2mA PDIP 16 broches
  • 0,498 €
    l'unité (par multiple de 5)
Multivibrateur monostable TC74HC123AP(F), 5.2mA PDIP 16 broches
  • Famille logiqueHC
  • Fonction logiqueMonostable multivibrateur
  • Nombre d'éléments par circuit2
  • Courant de sortie niveau haut maximum-5.2mA
  • Tension de sortie niveau bas maximum5.2mA
Voir produits similaires Multivibrateurs monostables
Driver moteur CMS Toshiba sortie Pont complet 18 broches
  • 0,84 €
    l'unité (par multiple de 2)
Driver moteur CMS Toshiba sortie Pont complet 18 broches
  • Type de moteurC. c. à balais
  • Configuration de sortiePont complet
  • Courant Collecteur IGBT maximum2.5A
  • Tension maximale d'alimentation50 V
  • Tension Collecteur Emetteur maximum30 V
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MOSFET Toshiba canal N, SC-62 1 A 30 V, 3 broches
  • 3,69 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Toshiba canal N, SC-62 1 A 30 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum1 A
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • Série2SK
  • Type de boîtierSC-62
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IGBT, GT50JR22, , 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple
  • 4,143 €
    l'unité (en tube de 25)
IGBT, GT50JR22, , 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum50 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±25V
  • Dissipation de puissance maximum230 W
  • Type de boîtierTO-3P
Voir produits similaires IGBT
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 58 A 60 V, 3 broches
  • 0,712 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 58 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum58 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierTO-220SIS
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Toshiba canal N, A-247 20 A 600 V, 3 broches
  • 2,862 €
    l'unité (en tube de 30)
MOSFET Toshiba canal N, A-247 20 A 600 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum20 A
  • Tension Drain Source maximum600 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierA-247
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Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3PL, 3 broches
  • 3,61 €la pièce
Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3PL, 3 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum200 V
  • Type de boîtierTO-3PL
  • Type de montageTraversant
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